[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

功率部件，其包括在单元阵列中的多个第一沟槽以及在第一沟槽中的电耦合到所述功率部件的栅极端子的第一导电材料；

二极管部件，其包括被布置为相邻于彼此的第一二极管器件沟槽和第二二极管器件沟槽，并且所述第一和第二二极管器件沟槽中的第二导电材料电耦合到所述二极管部件的源极端子，所述第一沟槽、所述第一二极管器件沟槽和所述第二二极管器件沟槽被布置在所述半导体衬底的第一主表面中；以及

二极管栅极接触部，其包括在所述第一和第二二极管器件沟槽之间的连接结构，所述连接结构与所述第一和第二二极管器件沟槽中的所述第二导电材料接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述连接结构是布置在所述第一和第二二极管器件沟槽之间的另外的沟槽部分中的沟槽连接结构。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述连接结构包括布置在所述第一主表面上的导电材料，所述连接结构被布置在所述第一和第二二极管器件沟槽之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个第一沟槽、所述第一二极管器件沟槽和所述第二二极管器件沟槽在第一方向上延伸，并且所述连接结构在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述功率部件包括功率晶体管单元，所述功率晶体管单元包括第一源极区、第一漏极区和第一主体区，所述第一沟槽中的第一导电材料实现与所述第一主体区相邻的第一栅极电极。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述二极管部件包括栅极控制的二极管器件，所述栅极控制的二极管器件包括第二源极区、第二漏极区和第二主体区，所述第一和第二二极管器件沟槽中的所述第二导电材料实现第二栅极电极，所述第二源极区耦合到所述二极管部件的源极端子。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述二极管部件还包括布置在所述第二栅极电极和所述第二主体区之间的第二栅极电介质，所述第二栅极电介质的厚度小于在所述第一栅极电极和所述第一主体区之间的第一栅极电介质的厚度。

8.根据权利要求4所述的集成电路，其中沿着所述第一方向测量的所述连接结构的宽度大于沿着所述第二方向测量的所述第一二极管器件沟槽和所述第二二极管器件沟槽的宽度。

9.一种集成电路，包括：

功率部件，其包括在单元阵列中的多个第一沟槽，并且所述第一沟槽中的第一导电材料耦合到所述功率部件的栅极端子；

二极管部件，其包括二极管器件沟槽以及在所述二极管器件沟槽中的与所述二极管部件的源极端子耦合的第二导电材料，所述第一沟槽和所述二极管器件沟槽被布置在半导体衬底的第一主表面中，

其中所述第一导电材料和所述第二导电材料被布置在所述半导体衬底的所述第一主表面处。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述多个第一沟槽和所述二极管器件沟槽在第一方向上延伸。

11.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述功率部件包括功率晶体管单元，所述功率晶体管单元包括第一源极区、第一漏极区和第一主体区，所述第一沟槽中的所述第一导电材料实现与所述第一主体区相邻的第一栅极电极。

12.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述二极管部件包括栅极控制的二极管器件，所述栅极控制的二极管器件包括第二源极区、第二漏极区和第二主体区，所述二极管器件沟槽中的所述第二导电材料实现第二栅极电极，所述第二源极区耦合到所述二极管部件的源极端子。

13.根据权利要求9所述的集成电路，还包括：

第二二极管器件沟槽；以及

二极管栅极接触部，其包括在所述第一和第二二极管器件沟槽之间的连接结构，所述连接结构与所述二极管器件沟槽中的和所述第二二极管器件沟槽中的所述第二导电材料接触。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述连接结构在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。

15.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述连接结构是布置在所述第一和第二二极管器件沟槽之间的另外的沟槽部分中的沟槽连接结构。