[发明专利]开关电路

权利要求书

1.一种开关电路，包括：

输入漏极、源极和栅极节点；

高电压耗尽模式晶体管，其包括与低电压增强模式晶体管的电流路径串联耦合的电流路径；以及

电流感测电路，其用于感测流经电流感测路径的电流。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述电流感测电路至少部分地集成在所述高电压耗尽模式晶体管中。

3.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述电流感测电路至少部分地集成在所述低电压增强模式晶体管中。

4.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述电流感测电路包括与所述低电压增强模式晶体管并联耦合的晶体管。

5.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述低电压增强模式晶体管包括彼此并联连接并集成在半导体衬底中的多个晶体管单元。

6.根据权利要求5所述的开关电路，其中所述电流感测电路包括电流感测元件，所述电流感测元件包括所述晶体管单元之一或并联耦合的预先确定的数量的所述晶体管单元，所述晶体管单元具有源极电极。

7.根据权利要求6所述的开关电路，其中所述电流感测电路还包括在所述半导体衬底上的并耦合到构成所述电流感测元件的所述晶体管单元的所述源极电极的第一电流感测焊盘。

8.根据权利要求7所述的开关电路，其中所述电流感测电路还包括在所述半导体衬底上的并耦合到所述晶体管的所述源极电极的第二电流感测焊盘，所述第二电流感测焊盘与所述第一电流感测焊盘分离。

9.根据权利要求8所述的开关电路，其中所述电流感测电路还包括耦合在所述第一电流感测焊盘和所述第二电流感测焊盘之间的电阻元件。

10.根据权利要求1所述的开关电路，还包括至少一个电流感测节点。

11.根据权利要求10所述的开关电路，还包括第二电流感测节点。

12.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管在栅地阴地放大器布置中操作地连接到所述低电压增强模式晶体管。

13.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管被直接驱动。

14.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管作为分立部件被提供，且所述低电压增强模式晶体管作为分立部件被提供。

15.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管和所述低电压增强模式晶体管相邻于彼此安装在复合封装中。

16.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管和所述低电压增强模式晶体管被单片地集成。

17.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管是基于III族氮化物的晶体管。

18.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述高电压耗尽模式晶体管是基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管（HEMT）。

19.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述低电压增强模式晶体管是IGFET。

20.根据权利要求19所述的开关电路，其中所述IGFET是p沟道MOSFET。