[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层、P型层、透明导电层，所述发光二极管芯片上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽，所述透明导电层和所述凹槽内的所述N型层上层叠有钝化层，其特征在于，所述P型层和所述透明导电层上设有从所述透明导电层延伸至所述P型层的第一环形凹槽，所述第一环形凹槽内设有P型焊盘，所述凹槽内的所述N型层上设有第二环形凹槽，所述第二环形凹槽内设有N型焊盘，所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括底层和层叠在所述底层上的顶层，所述P型焊盘的所述底层的厚度小于所述第一环形凹槽的深度，所述N型焊盘的所述底层的厚度小于所述第二环形凹槽的深度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一环形凹槽的深度为0.5-1000nm，所述第二环形凹槽的深度为0.5-1000nm。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型焊盘的直径与所述第一环形凹槽的外环直径之差为1-50μm，所述N型焊盘与所述第二环形凹槽的外环直径之差为1-50μm。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Pt层、Au层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Ti层、Al层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Al层、Cr层、Ti层、Al层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Al层、Cr层、Pt层、Au层。

5.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型层、多量子阱层、P型层；

开设从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；

在所述P型层上开设第一环形凹槽，在所述凹槽内的所述N型层上开设第二环形凹槽；

在所述P型层上沉积透明导电层，并腐蚀掉所述第一环形凹槽内的透明导电层；

在所述第一环形凹槽内设置P型焊盘，在所述第二环形凹槽内设置N型焊盘，所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括底层和层叠在所述底层上的顶层，所述P型焊盘的所述底层的厚度小于所述第一环形凹槽的深度，所述N型焊盘的所述底层的厚度小于所述第二环形凹槽的深度；

在所述透明导电层和所述凹槽内的所述N型层上沉积钝化层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一环形凹槽的深度为0.5-1000nm，所述第二环形凹槽的深度为0.5-1000nm。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述P型焊盘的直径与所述第一环形凹槽的外环直径之差为1-50μm，所述N型焊盘与所述第二环形凹槽的外环直径之差为1-50μm。

8.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Pt层、Au层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Ti层、Al层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Al层、Cr层、Ti层、Al层；或者，

所述底层为Cr层，所述顶层包括依次层叠在所述底层上的Al层、Cr层、Pt层、Au层。