[发明专利]一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种提高发光效率的LED芯片，包括如下结构：

LED芯片衬底/光学滤光膜/荧光粉涂层，所述光学滤光膜的结构为1.115H1.175L(HL)^m1.197H0.842L(1.2H1.2L)^n1.556H1.106L；H代表光学厚度为λ/4的高折射率材料，其折射率在2.0-2.4之间；L代表光学厚度为λ/4的低折射率材料，其折射率在1.44-1.50之间；膜系的设计波长为λ＝565nm，m＝5-7、n＝4-6，均为整数。

2.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片衬底为蓝宝石。

3.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，m为6和7，n为5和6。

4.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述高折射率材料为TiO₂或ZrO₂，所述低折射率材料为SiO₂。

5.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述光学滤光膜和荧光粉涂层位于所述LED芯片的出光面。

6.权利要求1-5任一所述的提高发光效率的LED芯片的制备方法，通过在LED芯片衬底和荧光粉涂层之间生长光学滤光膜来实现。

7.如权利要求6所述的提高发光效率的LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括在生长光学滤光膜之前，对LED芯片衬底进行离子清洗处理。

8.如权利要求6所述的提高发光效率的LED芯片的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法在LED芯片衬底上生长光学滤光膜。

9.如权利要求8所述的提高发光效率的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述的物理气相沉积在真空室中进行，真空室的本底气体压力在1.0×10^-3Pa以下，温度为200±5℃。