[发明专利]一种超宽带小型化轻薄型双极化阵列天线无效

专利信息
申请号: 201410598931.6 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN104701603A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 庄昆杰 申请(专利权)人: 庄昆杰
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q15/24;H01Q5/10;H01Q5/25;H01Q1/50;H01Q19/10;H01Q21/24
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 郭振兴;王正茂
地址: 362017 福建省泉州市丰*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 小型化 轻薄 极化 阵列 天线
【权利要求书】:

1.一种超宽带小型化轻薄型双极化阵列天线,其特征在于,包括:依次设置的多个辐射片、基片和反射板;

所述基片的正面与所述辐射片相对,且所述基片的正面设有激励缝隙;所述基片的背面与所述反射板相对,且所述基片的背面设有第一功分器及两路第一传输线、第二功分器及两路第二传输线;所述第一传输线和所述第二传输线分别为两路极化正交的交叉线极化天线的传输线;两路所述第一传输线分别与所述第一功分器的两个输出端相连,两路所述第二传输线分别与所述第二功分器的两个输出端相连;

两路所述第一传输线和两路所述第二传输线分别与所述激励缝隙正交相交、并与所述基片正面的金属面相连,且传输线与所述激励缝隙正交相交的四个正交点对称分布;

多个辐射片为互相平行设置的圆形辐射片,且辐射片距离所述基片越远,辐射片的直径越小。

2.根据权利要求1所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述激励缝隙为对称的渐变形状,包括:正十字形渐变形状、菱形十字渐变形状、工字渐变形状;

在短路馈点处所述激励缝隙的宽度最窄,越靠近所述激励缝隙中央位置所述激励缝隙的宽度越宽,所述短路馈点为传输线与所述激励缝隙正交相交的正交点。

3.根据权利要求1所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述基片背面在所述基片正面的激励缝隙的映射位置设置有与所述激励缝隙形状相同的十字缝隙,所述十字缝隙与各传输线支路相连通;

在所述十字缝隙的中央位置设有与所述激励缝隙形成电容耦合的圆形金属面,所述圆形金属面的四周都被所述十字缝隙所包围。

4.根据权利要求1所述的双极化阵列天线,其特征在于,还包括:相移90度等功率分配器;

所述第一功分器和所述第二功分器的输入端分别与所述相移90度等功率分配器的两个输入端相连。

5.根据权利要求1所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述基片上设有多个过孔,且所述过孔沿传输线边沿和/或所述激励缝隙边沿分布;所述基片正面的金属面与所述基片背面的金属面通过所述过孔相连。

6.根据权利要求1-5任一所述的双极化阵列天线,其特征在于,还包括:介质层;

所述介质层设置于所述辐射片与所述基片的正面之间,以及设置于多层辐射片之间,所述介质层的介电常数大于空气的介电常数。

7.根据权利要求6所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述基片采用高介电常数基片,所述介质层和所述高介电常数基片的介电常数的取值范围分别为:

1≤M≤10;3.5≤N≤10;

其中,M为介质层的介电常数,N为高介电常数基片的介电常数。

8.根据权利要求1-5任一所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述辐射片为弧面辐射片,所述弧面辐射片的弧面表面呈碗状设置。

9.根据权利要求8所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述弧面辐射片的碗状底部形状包括圆面和平面,且所述弧面辐射片的弧面开口朝上或朝下。

10.根据权利要求6所述的双极化阵列天线,其特征在于,所述辐射片为弧面辐射片,所述弧面辐射片的弧面表面呈碗状设置;

所述弧面辐射片的碗状底部形状包括圆面和平面,且所述弧面辐射片的弧面开口朝上或朝下。

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