[发明专利]工艺腔室和半导体加工设备在审
申请号: | 201410599158.5 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN105632968A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 边国栋 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 半导体 加工 设备 | ||
1.一种工艺腔室,该工艺腔室包括具有工艺腔的腔室主体和内 衬,所述内衬环绕所述工艺腔的纵向轴线设置在所述工艺腔内,其特 征在于,所述内衬与所述腔室主体的内壁之间形成有间隔,所述工艺 腔室还包括设置在所述腔室主体的内壁与所述内衬之间的加热件,所 述加热件用于对所述内衬进行加热,以控制内衬温度进而降低附着于 内衬表面的副产物发生脱落的概率和数量。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述加热件 用于在所述工艺腔室未进行工艺时对所述内衬进行加热,以使内衬保 持热壁状态。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述加热件 用于在所述工艺腔室进行工艺时对所述内衬进行补充加热,以维持内 衬温度恒定。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的工艺腔室,其特征在 于,所述加热件包括红外加热灯管。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室,其特征在于,所述红外加 热灯管为多个,多个所述红外加热灯管环绕所述工艺腔的纵向轴线均 匀地分布在所述腔室主体的内壁和所述内衬之间。
6.根据权利要求4所述的工艺腔室,其特征在于,所述红外加 热灯管固定在所述腔室主体的内壁上,且所述红外加热灯管与所述内 衬之间形成有间隔。
7.根据权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述工艺腔 室还包括控制模块,所述控制模块能够控制所述加热件的开关状态以 及所述加热件输出的功率,以使得所述内衬的温度保持恒定。
8.根据权利要求5所述的工艺腔室,其特征在于,所述控制模 块能够判断所述工艺腔中是否正在进行半导体加工工艺,并且所述控 制模块能够在所述工艺腔中未进行半导体加工工艺时控制所述加热 件对所述内衬进行加热,以使所述内衬达到预定温度,且所述控制模 块能够在所述工艺腔中进行半导体加工工艺时控制所述加热件停止 对所述内衬进行加热。
9.一种半导体加工设备,该半导体加工设备包括工艺腔室,其 特征在于,所述工艺腔室为权利要求1至8中任意一项所述的工艺腔 室。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备,其特征在于,所 述半导体加工设备为物理气相沉积设备或化学气相沉积设备或等离 子刻蚀设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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