[发明专利]一种芯片键合线焊接力度的检测方法

权利要求书

1.一种芯片键合线焊接力度的检测方法，包括以下步骤：

S1：配制质量分数为20%~30%的氢氧化钾溶液；

S2：检查待检测芯片是否已采用塑封材料进行封装，如果是，则转到步骤S3，否则转到步骤S5；

S3：将待检测芯片置入腐蚀液中，去除检测芯片的封装材料，露出金线，在此过程中需要确保金线不受腐蚀液的影响；

S4：将待检测芯片从腐蚀液中取出，用丙酮进行清洗，然后将待检测芯片晾干；

S5：将S1中配置的氢氧化钾溶液加热，保持氢氧化钾溶液温度在40~60℃；

S6：用镊子将键合线外露的芯片轻轻浸入到S5中的氢氧化钾溶液中进行腐蚀，腐蚀1.5~3分钟，再用镊子将待检测芯片从氢氧化钾溶液中取出；

S7：用清水充分冲洗待检测芯片，以去除粘附于待检测芯片表面残余的氢氧化钾溶液；

S8：采用离子风机将带检测芯片风干，以蒸发存留在待检测芯片表面的水分；

S9：将待检测芯片置于放大倍数为40倍的显微镜下，使用钩针将目标金线剥离焊垫，观察芯片焊垫上的弹坑，以判断键合线的焊接力度。

2.根据权利要求1所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S3中的腐蚀液为硝酸。

3.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为20%，所述步骤S5中加热的温度为40℃，所述步骤S6中腐蚀时间为3分钟。

4.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为20%，所述步骤S5中加热的温度为50℃，所述步骤S6中腐蚀时间为2.5分钟。

5.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为20%，所述步骤S5中加热的温度为60℃，所述步骤S6中腐蚀时间为2分钟。

6.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为30%，所述步骤S5中加热的温度为40℃，所述步骤S6中腐蚀时间为2.5分钟。

7.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为30%，所述步骤S5中加热的温度为50℃，所述步骤S6中腐蚀时间为2分钟。

8.根据权利要求1或2所述的一种芯片键合线焊接力度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中的氢氧化钾溶液的质量分数为30%，所述步骤S5中加热的温度为60℃，所述步骤S6中腐蚀时间为1.5分钟。