[发明专利]一种ZnO压敏电阻器的制备方法

权利要求书

1.一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）Mn(CH₃COO)₂·4H₂O、CO(NO₃)₂·6H₂O、Cr(NO₃)₃·9H₂O和Al(NO₃)₃·9H₂O，加入到20mL乙二醇乙醚中，水浴加热、搅拌至溶解备用；（2）Zr(NO₃)₄·5H₂O加入至10mL无水乙醇中，搅拌至溶解备用；（3）Ba(NO₃)₂加入10mL水中，搅拌至溶解备用；（4）Bi₂O₃溶解于适量硝酸中备用；（5）柠檬酸加入30mL乙二醇乙醚中，水浴加热、搅拌至溶解备用；（6）将上述（2）、（3）、（4）、（5）步骤所得溶液与步骤1所得溶液混合，加入(C₂H₅O)₄Si，边加入边搅拌，水浴加热，搅拌均匀后滴入乙醇胺，搅拌均匀、恒温后得溶胶；将其陈化后放置烘箱中制成干凝胶，然后烧制得复合纳米添加剂粉料；（7）按83％ZnO、3.2％Sb₂O₃和13.8％加入复合纳米添加剂，置于球磨罐中球磨，搅拌并烘干得到ZnO压敏电阻器用粉体；（8）以w(PVA)为6%作粘结剂，按m(PVA)：m(粉体)=15％造粒，过250μm(60目)筛，压制成坯片后烧结，被银后，制成ZnO压敏电阻器。

2.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（6）中所得混合溶液的pH值为7.5。

3.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（6）中陈化时间为24h；烘箱的干燥温度为150℃。

4.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（6）中的烧制温度为680℃。

5.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（7）球磨罐中料、水、球的比例为1：1：1。

6.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（8）中坯片直径为10.0mm，厚度为1.4mm。

7.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（8）中的压制压力为8MPa。

8.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（8）中的烧结温度为1050℃，烧结时间为2h。

9.如权利要求1所述的一种ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（7）球磨时间为2h。