[发明专利]放大器在审
| 申请号： | 201410601783.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104601124A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 三轮真一;佐藤邦宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 | ||
1.一种放大器，其特征在于，具有：
晶体管芯片；
匹配用芯片，其具有电容器组，该电容器组具有多个由下部电极、电介体、以及上部电极形成的MIM电容器；
接合线，其将所述晶体管芯片与所述电容器组的某1个所述MIM电容器的所述上部电极连接，且用于传输高频信号；以及
壳体，其收容所述晶体管芯片和所述匹配用芯片，
多个所述MIM电容器的所述下部电极接地，
所述电容器组的所述MIM电容器的电容值彼此不同。
2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，具有：
追加匹配用芯片，其具有追加电容器组，该追加电容器组具有多个由追加下部电极、追加电介体、以及追加上部电极形成的追加MIM电容器；以及
追加接合线，其将所述接合线所连接的所述上部电极与所述追加电容器组的某1个所述追加MIM电容器的所述追加上部电极连接，且用于传输高频信号，
所述追加匹配用芯片收容在所述壳体中，
多个所述追加MIM电容器的所述追加下部电极接地，
所述追加电容器组的所述追加MIM电容器的电容值彼此不同。
3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于，
所述电介体的厚度与所述追加电介体的厚度不同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放大器，其特征在于，具有：
注入电阻，其形成于所述匹配用芯片；
第1电极，其与所述注入电阻的一端连接；以及
第2电极，其与所述注入电阻的另一端连接，
所述接合线具有：
第1导线，其将所述上部电极和所述第1电极连接；以及
第2导线，其将所述第2电极和所述晶体管芯片连接。
5.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，
在所述晶体管芯片形成有多单元晶体管，
所述电容器组和所述接合线针对所述多单元晶体管的每个单元设置。
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