[发明专利]基板处理装置、驱动组件以及驱动部件控制方法在审
申请号: | 201410601831.4 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104600002A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 崔晋镐;柳珠美 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F01B23/00;F01B25/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 驱动 组件 以及 部件 控制 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
搬运基板的移送腔室;
与上述移送腔室相邻地设置,且对上述基板执行处理工序的工序腔室;以及
提供上述移送腔室或者上述工序腔室的构成要素进行动作的动力的驱动组件,
上述驱动组件包括:
连接于配管的气缸;
以在上述气缸的内部移动的方式设置,且通过驱动轴连接于上述构成要素的活塞;以及
自动调节上述活塞的移动速度的配管控制单元。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述配管包括:
与上述气缸的上部连接的第一配管;以及
与上述气缸的下部连接的第二配管,
上述配管控制单元以接收位于上述气缸的传感器的信号的方式配置。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述配管控制单元包括:
控制沿着上述配管流动的流体的配管控制模块;以及
根据上述传感器的信号,来调节上述配管控制模块的动作的模块控制部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述传感器包括:
位于上述气缸的上部的第一传感器;以及
位于上述气缸的下部的第二传感器。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部根据上述第一传感器以及上述第二传感器所发送的信号变化来检测上述活塞的移动速度。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部将上述移动速度与上述活塞的设定速度进行比较,若上述移动速度超出以上述设定速度为基准的误差范围,则执行对上述配管控制模块的调整。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部在上述移动速度小于上述设定速度的情况下,调节上述配管控制模块以使沿着上述第一配管或者上述第二配管流动的流体的流量增加。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部在上述移动速度小于上述设定速度的情况下,调节上述配管控制模块以使沿着上述第一配管或者上述第二配管流动的流体的压力增加。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部在上述移动速度大于上述设定速度的情况下,调节上述配管控制模块以使沿着上述第一配管或者上述第二配管流动的流体的流量减少。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述模块控制部在上述移动速度大于上述设定速度的情况下,调节上述配管控制模块以使沿着上述第一配管或者上述第二配管流动的流体的压力减少。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述配管控制单元包含压电驱动器而构成。
12.一种驱动组件,其特征在于,包括:
连接于配管的气缸;
以在上述气缸的内部移动的方式设置,且在一面配置有驱动轴的活塞;以及
自动调节上述活塞的移动速度的配管控制单元。
13.根据权利要求12所述的驱动组件,其特征在于,
上述配管包括:
与上述气缸的上部连接的第一配管;以及
与上述气缸的下部连接的第二配管,
上述配管控制单元以接收位于上述气缸的上部的第一传感器、和位于上述气缸的下部的第二传感器的信号的方式配置。
14.根据权利要求13所述的驱动组件,其特征在于,
上述配管控制单元包括:
控制沿着上述配管流动的流体的配管控制模块;以及
根据上述第一传感器以及上述第二传感器的信号,来调节上述配管控制模块的动作的模块控制部。
15.根据权利要求14所述的驱动组件,其特征在于,
上述模块控制部根据上述第一传感器以及上述第二传感器所发送的信号变化来检测上述活塞的移动速度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司;,未经细美事有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410601831.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扩晶机的顶膜结构
- 下一篇:HDI板盲埋孔电气互连可靠性检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造