[发明专利]一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法在审
| 申请号： | 201410601931.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632888A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 外延 自然 氧化 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法，其特征在于， 包括步骤：
进行RCA清洗；
以稀释的BOE溶液湿法腐蚀去除自然氧化层。
2.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于，在进行自然氧化层 的去除之后，还包括步骤：用高纯的H2或者N2或惰性气体进行晶片的吹 扫干燥。
3.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于，稀释的BOE溶液 为由7:1的BOE试剂稀释。
4.根据权利要求3所述的去除方法，其特征在于，进行稀释的比例为 1/20。
5.根据权利要求4所述的去除方法，其特征在于，腐蚀时间为60s。
6.根据权利要求3所述的去除方法，其特征在于，进行稀释的比例为 1/10、1/30或1/40。
7.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于，进行RCA清洗的 步骤包括：进行SC1、稀释的HF和SC2的清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
