[发明专利]NBT-BT晶体压电体膜和具备该膜的压电叠层结构体

权利要求书

1.一种[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜(15)，其中，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜仅具有(001)取向，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长，

x表示0以上且1以下的值，并且，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。

2.根据权利要求1所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有摄氏470度以下的退极化温度。

3.根据权利要求1所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜，还含有锰。

4.根据权利要求1所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜，x为0.00以上且0.22以下。

5.根据权利要求1所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有0.391纳米以上且0.394纳米以下的a轴长，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.420纳米以下的c轴长，并且，

x为0.02以上且0.20以下。

6.根据权利要求5所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有满足以下的数式(I)的压电常数d31(0.3V/微米)，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有满足以下的数式(II)的压电常数d31(1.8V/微米)，并且，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜具有满足以下的数式(III)的线性，

|压电常数d31(0.3V/微米)|≥78   (I)，

|压电常数d31(1.8V/微米)|≥78   (II)，

0.98≤(压电常数d31(0.3V/微米)/压电常数d31(1.8V/微米))≤1.00(III)。

7.一种压电叠层结构体，具备以下的层：

La_1+yNi_1-yO₃层(13)；和

权利要求1所述的[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜(15)，其中，

所述[(Na，Bi)_1-xBa_x]TiO₃晶体压电体膜(15)被层叠为与所述La_1+yNi_1-yO₃层(13)接触，

y表示-0.05以上且0.15以下的值。