[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410602204.2 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104282731A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 石磊;许晓伟;龙春平;王祖强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光器件，包括：阳极、阴极和设于阳极和阴极之间的发光层，其特征在于，在有机电致发光器件的出光面侧设置有具有布拉格光栅的滤光层，所述滤光层用于将所述有机电致发光器件所发射的光中波长与该有机电致发光器件标准波长长度不等的光滤除。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述滤光层为掺杂有锗或硼元素的二氧化硅层。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述滤光层设于所述阳极层的背离所述发光层的一侧上。
4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述滤光层设于所述阴极层的背离所述发光层的一侧上。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其包括在基底上形成阳极、发光层、阴极的步骤，其特征在于，所述方法还包括：
在有机电致发光器件的出光面上形成具有布拉格光栅的滤光层的步骤，其中所述滤光层用于将所述有机电致发光器件所发射的光中波长与该有机电致发光器件标准波长长度不等的光滤除。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述形成滤光层的步骤具体包括：
在有机电致发光器件的出光面上形成光敏薄膜；
通过化学气相沉积方式对形成的光敏薄膜进行锗或硼元素的掺杂；
通过相干光源对掺杂有锗或硼元素的光敏薄膜进行照射，形成具有布拉格光栅的滤光层。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂的锗或硼元素的含量范围为3至20mol％。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述光敏薄膜的材料为二氧化硅，其膜厚为2至3um。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述相干光源的波长在190至260nm之间，光强在100至400mj/cm2。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至4中任意一项所述的有机电致发光器件。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
