[发明专利]各向异性导电膜和使用其的半导体装置

权利要求书

1.一种各向异性导电膜，

其中所述各向异性导电膜的应力-应变曲线具有如以下方程式1表示的大于0和小于或等于0.2千克力/(平方毫米·％)的斜率A，以及0.4千克力/平方毫米或0.4千克力/平方毫米以上的最大应力，

斜率A＝(1/2S_max-S₀)/x---(1)，

其中所述斜率A的单位为千克力/(平方毫米·％)，S_max：所述最大应力，x：所述最大应力的一半下的应变，其中所述x的单位为％，S₀：0应变下的应力。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述各向异性导电膜在其样本断裂时具有10％或10％以上的应变。

3.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述各向异性导电膜包括第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述第一绝缘层堆叠在所述导电层的一个表面上，且所述第二绝缘层堆叠在所述导电层的另一表面上。

5.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述第一绝缘层具有2微米或2微米以下的厚度。

6.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述导电层具有2微米到10微米的厚度，且所述第二绝缘层具有6微米到18微米的厚度。

7.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中通过ARES流变仪所测量，所述各向异性导电膜在50℃到60℃下具有20,000帕斯卡·秒到100,000帕斯卡·秒的熔融粘度。

8.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中通过ARES流变仪所测量，所述第二绝缘层在50℃到60℃下具有10,000帕斯卡·秒到70,000帕斯卡·秒的熔融粘度。

9.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述第二绝缘层包括粘合剂树脂、环氧树脂、无机颗粒、固化剂和偶联剂。

10.根据权利要求9所述的各向异性导电膜，其中关于固体含量，以所述第二绝缘层的总重量计，所述第二绝缘层包括：10重量％到50重量％的所述粘合剂树脂；10重量％到60重量％的所述环氧树脂；5重量％到40重量％的所述无机颗粒；0.5重量％到10重量％的所述固化剂；以及0.1重量％到10重量％的所述偶联剂。

11.根据权利要求10所述的各向异性导电膜，其中所述粘合剂树脂包括第一粘合剂树脂和第二粘合剂树脂，所述第一粘合剂树脂具有90℃或90℃以上的玻璃化转变温度，所述第二粘合剂树脂具有60℃到小于90℃的玻璃化转变温度。

12.根据权利要求11所述的各向异性导电膜，其中所存在的所述第一粘合剂树脂的量大于所述第二粘合剂树脂的量，且所述第一粘合剂树脂与所述第二粘合剂树脂的重量比的范围为1∶0.2到1∶1。

13.根据权利要求11所述的各向异性导电膜，其中所存在的所述第一粘合剂树脂的量小于所述第二粘合剂树脂的量，且所述第一粘合剂树脂与所述第二粘合剂树脂的重量比的范围为1∶4到1∶10。

14.根据权利要求11所述的各向异性导电膜，其中关于固体含量，以所述第二绝缘层的总重量计，在所述第二绝缘层中，所述环氧树脂的含量大于所述粘合剂树脂的含量，且所述环氧树脂与所述粘合剂树脂的重量比高于1∶1且小于或等于2∶1。

15.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述各向异性导电膜具有0.5欧姆或0.5欧姆以下的连接电阻，这是在1兆帕到3兆帕的负荷下在50℃到70℃下，对置于玻璃衬底与集成电路驱动器芯片或集成电路芯片之间的所述各向异性导电膜进行预压缩持续1到3秒，和在60兆帕到80兆帕的负荷下在140℃到160℃下进行压缩持续3到7秒后，立即在25℃下测量的。

16.根据权利要求15所述的各向异性导电膜，其中所述各向异性导电膜具有5欧姆或5欧姆以下的可靠性测试后连接电阻，这是在所述各向异性导电膜进行所述预压缩和所述压缩且保持在85℃和85％相对湿度下持续500小时之后测量的。