[发明专利]半导体晶片双面抛光的方法

权利要求书

1.至少一个由半导体材料构成的晶片(5)的同步双面抛光方法，所述晶片位于载板(1)中适当尺寸的圆形切口(3)中，并且有正面和背面，所述双面抛光在提供抛光剂下在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘和覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间进行，抛光垫的工作面具有内部圆形区域和环形外部区域，其中用于由半导体材料构成的晶片(5)的至少一个圆形切口(3)被分段的抛光剂通道以距离A包围，半导体晶片(5)在抛光过程中在载板(1)中的圆形切口(3)内会或不会发生固有旋转，在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从喷嘴涌出从上部或者从上部和下部进入工作间隙中的抛光剂的量与在同一时间内从位于抛光垫的外部环形区域中的喷嘴涌出的抛光剂的量相比不同，其中抛光剂的供应通过存在于上抛光盘和下抛光盘两者中的开口、以及上抛光垫和下抛光垫两者中的开口以加压方式在半导体晶片(5)的正面和背面上进行，其中用于抛光剂供应的喷嘴可以集成在抛光盘中的开口中。

2.根据权利要求1所述的同步双面抛光方法，其中载板(1)中至少一个适当尺寸的圆形切口(3)被三个分段切口(2)以环形状的方式离圆形切口(3)距离A所包围，所述分段切口(2)具有相同的大小，并且彼此被网(4)隔开，且在每种情况下相互之间的距离最多110°。

3.根据权利要求1-2之一所述的同步双面抛光方法，其中载板(1)中适当尺寸的圆形切口(3)内的半导体晶片(5)的固有旋转是可以的。

4.根据权利要求1-2之一所述的同步双面抛光方法，其中通过将半导体晶片固定在圆形切口(3)中，防止载板(1)中适当尺寸的圆形切口(3)内半导体晶片(5)的固有旋转。

5.根据权利要求1-2之一所述的同步双面抛光方法，其中集成在抛光盘中用于抛光剂供应的喷嘴开口、或者集成在抛光盘和/或抛光垫中的开口的取向相对于抛光垫表面的角度为45°至90°。

6.根据权利要求5所述的同步双面抛光方法，其中在抛光垫的内部圆形区域中单位时间内从开口涌出进入工作间隙的抛光剂的量高于在同一时间内从位于外部环形区域中的开口涌出的量。

7.根据权利要求1-2之一所述的同步双面抛光方法，其中由半导体材料构成的至少一个晶片(5)的正面在上抛光垫进行抛光。