[发明专利]使用背侧照明光电二极管的图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201410602294.5 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104600087B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 朴在暎;元俊镐;李咏夏;李道永 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 照明 光电二极管 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种使用背侧照明光电二极管的图像传感器,包括:
形成于第一晶片中的多个第一金属层,所述第一晶片包括:多个背侧照明光电二极管,其传感从背侧入射的光并输出信号,以及多个传输晶体管,其将从背侧照明光电二极管输出的信号传输到浮动扩散节点,所述多个第一金属层分别与浮动扩散节点直接连接;
形成于第二晶片中的多个第二金属层,所述第二晶片包括:多个像素晶体管,其处理通过浮动扩散节点传输的信号并传输经处理的信号,所述多个第二金属层分别与像素晶体管直接连接;
形成于第一晶片中的多个第一接合通孔,所述第一接合通孔的一端分别与第一金属层直接连接;
形成于第二晶片中的多个第二接合通孔,所述第二接合通孔的一端分别与第二金属层直接连接;以及
形成于第一晶片中的多个接合垫盘,所述接合垫盘的一端分别与第一接合通孔的另一端直接连接,并且所述接合垫盘的另一端分别与第二接合通孔的另一端直接连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一晶片为顶部晶片,并且所述第二晶片为底部晶片。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二晶片进一步包括逻辑晶体管,其用于处理通过像素晶体管输出的信号。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述像素晶体管包括以下至少一种:
驱动晶体管,所述驱动晶体管通过其一个端子直接连接到电源端子,并被配置为根据通过浮动扩散节点和驱动晶体管的门极连续提供的电压而被驱动,以及通过驱动晶体管的另一端子输出对应于通过背侧照明光电二极管传感的光的输出电压;
选择晶体管,所述选择晶体管通过其一个端子直接连接到驱动晶体管的另一端子,并被配置为根据通过选择晶体管的门极提供的选择控制信号选择性地输出驱动晶体管的输出电压;以及
复位晶体管,所述复位晶体管被配置为将电源端子的电压提供到驱动晶体管的门极,以及在复位模式下,对浮动扩散节点进行复位。
5.一种使用背侧照明光电二极管的图像传感器,其包括:
形成于第一晶片中的多个第一金属层,所述第一晶片包括:多个背侧照明光电二极管,其传感从背侧入射的光并输出信号,以及多个传输晶体管,其将从背侧照明光电二极管输出的信号传输到浮动扩散节点,所述多个第一金属层分别与浮动扩散节点直接连接;
形成于第二晶片中的多个第二金属层,所述第二晶片包括:多个像素晶体管,其处理通过浮动扩散节点传输的信号并传输经处理的信号,所述多个第二金属层分别与像素晶体管直接连接;
形成于第一晶片中的多个第一接合通孔,所述第一接合通孔的一端分别与第一金属层直接连接;
形成于第二晶片中的多个第二接合通孔,所述第二接合通孔的一端分别与第二金属层直接连接;以及
形成于第二晶片中的多个接合垫盘,所述接合垫盘的一端分别与第二接合通孔的另一端直接连接,并且所述接合垫盘的另一端分别与第一接合通孔的另一端直接连接。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述第一晶片为顶部晶片,并且所述第二晶片为底部晶片。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述第二晶片进一步包括逻辑晶体管,其用于处理通过像素晶体管输出的信号。
8.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述像素晶体管包括以下至少一种:
驱动晶体管,所述驱动晶体管通过其一个端子直接连接到电源端子,并被配置为根据通过浮动扩散节点和驱动晶体管的门极连续提供的电压而被驱动,以及通过驱动晶体管的另一端子输出对应于通过背侧照明光电二极管传感的光的输出电压;
选择晶体管,所述选择晶体管通过其一个端子直接连接到驱动晶体管的另一端子,并被配置为根据通过选择晶体管的门极提供的选择控制信号选择性地输出驱动晶体管的输出电压;以及
复位晶体管,所述复位晶体管被配置为将电源端子的电压提供到驱动晶体管的门极,并且在复位模式下,对浮动扩散节点进行复位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的