[发明专利]埋入式磁传感器有效
| 申请号： | 201410602530.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104898074B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赫伯特·弗朗索瓦;李性宇;郑锺烈;安熙伯;申讲燮;崔诚珉;金荣俊 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋入 传感器 | ||
1.一种埋入式磁传感器，其特征在于，包括：
绝缘体上硅基板，包括硅基板、埋入绝缘层及绝缘体上硅层；
传感区域，形成在上述埋入绝缘层下方；
深沟接触部，贯通上述埋入绝缘层，并与上述传感区域相连接；以及
电路部，形成于上述绝缘体上硅层上，并通过上述深沟接触部与上述传感区域相连接，
其中，上述传感区域包括：N型掺杂区域，以及P型掺杂区域，比上述N型掺杂区域更深地掺杂而形成，以及
其中，在上述硅基板中形成上述P型掺杂区域，并且上述P型掺杂区域的掺杂浓度高于上述硅基板的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
上述深沟接触部贯通上述绝缘体上硅层而形成。
3.根据权利要求1所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
上述深沟接触部与金属线相连接，上述金属线与上述电路部相连接。
4.根据权利要求1所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
上述P型掺杂区域的长度等于或长于上述N型掺杂区域的长度。
5.根据权利要求1所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
还包括隔离区域，上述隔离区域形成于上述深沟接触部的周边。
6.根据权利要求1所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
还包括：
层间绝缘膜，形成于上述绝缘体上硅层上；以及
磁集极，形成于上述层间绝缘膜上。
7.根据权利要求6所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
上述磁集极包括表面弯折的面。
8.根据权利要求6所述的埋入式磁传感器，其特征在于，
上述磁集极与上述层间绝缘膜相接，并与上述埋入绝缘层直接接触。
9.一种磁传感器，其特征在于，
包括：
硅基板，
传感区域，形成于上述硅基板，
多个传感器接触部，与上述传感区域相连接，以及
电路部，形成于上述传感区域上；
其中，上述传感区域包括：N型掺杂区域，以及P型掺杂区域，比上述N型掺杂区域更深地掺杂而形成，以及
其中，在上述硅基板中分开地形成上述P型掺杂区域，并且上述P型掺杂区域的掺杂浓度高于上述硅基板的掺杂浓度，并且上述P型掺杂区域不同于上述硅基板。
10.根据权利要求9所述的磁传感器，其特征在于，
还包括：
层间绝缘膜，形成于上述传感器接触部上；以及
磁集极，形成于上述层间绝缘膜上。
11.根据权利要求9所述的磁传感器，其特征在于，
在上述传感器接触部的周边还形成深沟区域。
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