[发明专利]图形化衬底制备方法及外延片制作方法有效
| 申请号： | 201410603031.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104319329B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 桂宇畅;张建宝 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 制备 方法 外延 制作方法 | ||
1.一种图形化衬底制备方法，其特征在于，所述方法包括：
采用光刻胶掩膜在蓝宝石衬底上形成多个光刻胶凸起，多个所述光刻胶凸起为柱体结构、台体结构和锥体结构中的至少一种；
在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层；
采用光刻胶掩膜及刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅层直至裸露出部分蓝宝石衬底，形成多个二氧化硅凸起，每个所述二氧化硅凸起内部包含一个所述光刻胶凸起，多个所述二氧化硅凸起为柱体结构和台体结构中的至少一种；
利用显影工艺将所述二氧化硅凸起内部的所述光刻胶凸起去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在设置有所述光刻胶凸起的蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅层，包括：
采用等离子体增强化学气相沉积法或溶胶凝胶法在所述蓝宝石衬底上沉积所述二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述光刻胶凸起按阵列方式分布在所述蓝宝石衬底上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述光刻胶凸起为圆柱结构、圆台结构、椭圆台结构、棱台结构、圆锥结构和多棱锥结构中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻胶凸起的顶面半径或宽度为0～0.5um，所述光刻胶凸起的底面半径或宽度为0.5～10um，所述光刻胶凸起的高度为0.5～5um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述二氧化硅凸起为圆柱结构、圆台结构、椭圆台结构和棱台结构中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅凸起的顶面半径或宽度为0.02～0.5um，所述二氧化硅凸起的底面半径或宽度为0.5～10um，所述二氧化硅凸起的高度为0.5～5um。
8.一种外延片制作方法，其特征在于，所述方法包括：
按权利要求1～7任一项所述的方法制备图形化衬底；
在所述图形化衬底上依次生长n型氮化镓层、多量子阱层和p型氮化镓层，制成外延片。
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