[发明专利]一种太阳电池光诱导电镀方法在审
申请号: | 201410603295.1 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105633195A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 刘秋丽 | 申请(专利权)人: | 陕西高华知本化工科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 康凯 |
地址: | 710065 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 光诱导 电镀 方法 | ||
1.一种太阳电池光诱导电镀方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)采用单晶硅对其表面碱腐蚀,制绒同时去掉表面损伤层,再进行磷扩散;
(2)扩散后,采用湿化学法去除硅片表面的磷硅玻璃,然后采用PECVD技术在正面镀氮化硅减反射膜;
(3)再在非镀膜面采用丝网印刷技术印刷背电极和背电场,然后在镀膜面印刷银浆种子层,进行烧结;
(4)最后采用LIP技术在种子层上制备电池电极。
2.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法,其特征在于所述步骤(1)中采用单晶硅片的规格为156mm×l56mm的P型,电阻率为l~3Ω·cm,厚约200±20μm。
3.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法,其特征在于所述步骤(3)中采用的印刷丝网版参数为90线,设计线宽45μm,网版膜厚16μm,3条主电极,主电极宽1.5mm。
4.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法,其特征在于所述步骤(2)中减反射膜为硅片p-n结面镀80am厚的减反射膜。
5.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法,其特征在于所述步骤(3)中种子层银浆湿重使用量为0.06g。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的