[发明专利]一种金属硅化物绝缘层的形成方法有效
| 申请号： | 201410604577.3 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104332400B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 绝缘 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：包含如下步骤：
第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；
第二步，进行器件的栅极及源漏区的器件结构制作；在对器件常规结构的制作过程中，多晶硅栅极进行刻蚀时，采用高选择比的干法刻蚀，确保源漏区的ONO膜层刻蚀停留在顶层氧化硅，防止源漏区的氮化硅损失；
第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；
第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；
第五步，去除不需要的金属沉积层。
2.如权利要求１所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：所述第四步中，采用选择性强的湿法刻蚀去除不需要的金属沉积层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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