[发明专利]芯片存储单元扰码地址的验证方法

权利要求书

1.一种芯片存储单元扰码地址的验证方法，其特征在于：包含如下步骤：

第一步，在芯片量产过程中，在线缺陷检测中捕捉到存储器内部的失效缺陷，或者利用聚焦离子束轰击手段人为制造缺陷导致存储器失效；

第二步，记录失效芯片在晶圆上的地址及其失效缺陷在存储单元内的物理地址；失效芯片的地址是指量产时划片前具有缺陷的失效芯片在整个晶圆上的位置；失效缺陷的物理地址是指单个芯片上的一个或两个以上的失效单元的存储坐标地址；

第三步，继续完成芯片的制造；

第四步，进行普通电学测试，得到失效单元的电学地址；

第五步，根据存储器结构设计和测试原理编写转换公式得到物理失效地址；

第六步，将上述物理失效地址与第二步记录的物理失效地址进行比对。

2.如权利要求1所述的芯片存储单元扰码地址的验证方法，其特征在于：所述第二步中，失效芯片的地址是指量产时划片前具有缺陷的失效芯片在整个晶圆上的地址；失效缺陷的物理地址是指单个芯片上的一个或两个以上的失效单元的存储坐标地址。

3.如权利要求1所述的芯片存储单元扰码地址的验证方法，其特征在于：所述第六步中，如果比对的两次失效地址一致，则证明转换公式正确；如果不一致，则调整转换公式，继续判断直到转换公式正确。