[发明专利]一种MOSFET芯片布局结构

权利要求书

1.一种MOSFET芯片布局结构，其特征在于，所述MOSFET芯片包括栅极焊盘、栅极金属线及至少一组环形沟槽栅，每组环形沟槽栅至少包括两条由内而外依次环绕排列的环形沟槽栅；所述栅极金属线将各环形沟槽栅并联起来，并连接至所述栅极焊盘。

2.根据权利要求1所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述MOSFET芯片包括两组环形沟槽栅，所述环形沟槽栅为跑道型，两组环形沟槽栅的直线部分互相平行，且两组环形沟槽栅的中心连线垂直所述环形沟槽栅的直线部分。

3.根据权利要求2所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述栅极焊盘位于两组环形沟槽栅第一端弧形部分之间的区域内，所述栅极金属线包括依次相连并围成四方形的第一段、第二段、第三段及第四段，其中，所述栅极金属线的第一段垂直连接两组环形沟槽栅的每条直线部分，所述栅极金属线的第二段及第三段靠近两组环形沟槽栅外侧并分别垂直连接于所述栅极金属线的第一段两端，所述栅极金属线的第四段靠近两组环形沟槽栅第一端，且两端分别连接所述栅极金属线的第二段及第三段；所述栅极焊盘连接于所述栅极金属线的第四段内侧。

4.根据权利要求3所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述栅极金属线的第一段经过两组环形沟槽栅的中心连线。

5.根据权利要求1所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述MOSFET芯片包括一组环形沟槽栅，所述栅极焊盘位于所述环形沟槽栅内部，所述栅极金属线为直线型，所述栅极金属线一端与所述栅极焊盘连接，另一端由内而外依次并联连接所有环形沟槽栅。

6.根据权利要求5所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述环形沟槽栅为跑道型，所述栅极金属线并联连接环形沟槽栅的直线部分。

7.根据权利要求5所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述环形沟槽栅为跑道型，所述栅极金属线并联连接环形沟槽栅的弧线部分。

8.根据权利要求5所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述栅极焊盘位于所述环形沟槽栅中心。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的MOSFET芯片布局结构，其特征在于：所述MOSFET芯片为纵向MOSFET，自下而上依次包括漏区、漂移区、沟道区及源区，所述环形沟槽栅从所述源区表面向下延伸至所述漂移区中。