[发明专利]一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法

权利要求书

1.一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，包括：

(1)将TiO₂纳米粉体焙烧，获得预处理后的TiO₂纳米粉体；在预处理后的TiO₂纳米粉体中，加入水、无水乙醇、醋酸和粘结剂，球磨，减压蒸馏浓缩，获得TiO₂粘稠浆料；然后涂敷在FTO导电玻璃基体上，焙烧，得到玻璃基体上TiO₂多孔膜；

(2)将TiO₂多孔膜浸渍在Ag⁺水溶液中，用去离子水、乙醇洗涤后，放入S^2-水溶液中浸渍反应，再用去离子水、乙醇洗涤，经过连续离子吸附反应法SILAR循环后得到Ag₂S-QDs敏化TiO₂电极；

(3)将含有铟盐、硫源、络合剂的In₂S₃前驱体均相水溶液加入到水热釜中，将Ag₂S-QDs敏化TiO₂电极放置在溶液里，密封后加热到80～200℃，水热2～10h，冷却至室温后用去离子水、无水乙醇洗涤，自然晾干得到In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极。

2.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的TiO₂纳米粉体的粒径为20～50纳米。

3.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的粘结剂为聚乙二醇、聚乙烯吡咯、聚乙烯醇、聚乙基纤维素中的一种或几种，粘结剂与TiO₂粉体的质量比为0.5:1～10:1。

4.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的涂敷方法为丝网印刷或刮涂法；涂层厚度为4μm～20μm，涂层大小为0.5～6cm²。

5.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的TiO₂纳米粉体的焙烧为在200℃～600℃下焙烧1～10h；TiO₂粘稠浆料的焙烧为在200℃～500℃下焙烧1～6h。

6.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中Ag⁺选自硝酸银、硫酸银、醋酸银中的一种或几种，S^2-为硫化钠、硫氢化钠中的一种或两种。

7.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中Ag⁺水溶液的摩尔浓度为0.001～0.5mol/L，S^2-水溶液的摩尔浓度为0.001～0.5mol/L。

8.根据权利要求1所述的一种In₂S₃为缓冲层的AgInS₂量子点敏化TiO₂光电极的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中在Ag⁺水溶液或S^2-水溶液的浸渍时间为10～120s。