[发明专利]半导体测试治具

权利要求书

1.一种半导体测试治具，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上若干相互分离的若干测试针头；

位于基底上的固定层，所述固定层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的部分侧壁表面；

其中，所述测试针头和固定层通过半导体集成制作工艺形成，所述测试针头为单根的金属针头或同轴测试针头，所述测试针头为单根的金属针头时，半导体集成制作工艺形成测试针头和固定层包括方案a和b；所述测试针头为同轴测试针头时，半导体集成制作工艺形成测试针头和固定层包括方案c和d；

方案a，在基底上形成金属层；刻蚀所述金属层形成若干测试针头；形成覆盖所述基底和测试针头的介质层，回刻蚀去除部分厚度的介质层，基底上剩余的介质层作为固定层；

方案b，在所述基底上形成介质层，所述介质层中具有暴露出基底表面的若干通孔；在所述通孔中填充金属形成若干测试针头；回刻蚀去除部分厚度的介质层，基底上剩余的介质层作为固定层；

方案c，在所述基底上形成第一测试针；形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；形成覆盖所述基底和测试针头表面的固定材料层；回刻蚀所述固定材料层，形成固定层；

方案d，在所述基底上形成介质层，所述介质层中形成有若干第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充金属形成第二测试针；去除第二测试针外侧的部分厚度的介质层，第一测试针和第二测试针之间剩余的介质层作为绝缘层，测试针头之间的基底上剩余的介质层作为固定层。

2.如权利要求1所述的半导体测试治具，其特征在于，所述同轴测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。

3.如权利要求2所述的半导体测试治具，其特征在于，所述第一测试针的直径为500纳米～500微米，绝缘层的宽度为80纳米～400微米，第二测试针的宽度为60纳米～300微米。

4.如权利要求2所述的半导体测试治具，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅或树脂。

5.如权利要求2所述的半导体测试治具，其特征在于，所述基底内形成有信号传输电路，所述信号传输电路包括第一输入端、第一输出端、第二输入端和第二输出端，所述第一输出端与第一测试针的第一连接端电连接，所述第二输出端与第二测试针的第二连接端电连接，所述第一输入端和第二输入端分别与外部的测试电路电连接。

6.如权利要求1所述的半导体测试治具，其特征在于，所述固定层的表面低于所述测试针头的顶部表面。

7.如权利要求6所述的半导体测试治具，其特征在于，所述固定层的厚度为测试针高度的1/4～2/3。

8.如权利要求6所述的半导体测试治具，其特征在于，所述固定层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅或树脂。