[发明专利]半导体测试治具的形成方法

权利要求书

1.一种半导体测试治具的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干相互分离的若干测试针头，所述测试针头为单根的金属针头或同轴测试针头；

在所述基底上形成介质层，所述介质层填充相邻测试针头之间的空间且覆盖测试针头的侧壁表面，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平

在介质层和测试针头上形成过渡板，所述过渡板中具有若干与测试针头顶部表面电接触的金属块；

当所述测试针头为单根的金属 针头时，前述过程包括方案A和方案B：

方案A，在基底上形成金属层；刻蚀所述金属层形成若干测试针头；形成覆盖所述基底和测试针头的介质层，所述介质层的表面与测试针头的顶部表面齐平；

方案B，在所述基底上形成介质层，所述介质层中具有暴露出基底表面的若干通孔；在所述通孔中填充金属形成若干测试针头；

当所述测试针头为同轴测试针头时，前述过程包括方案C和方案D：

方案C，形成覆盖每个第一测试针侧壁和顶部表面的绝缘薄膜层；无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述绝缘薄膜层在第一测试针的侧壁形成绝缘层；形成覆盖所述绝缘层和第一测试针顶部表面的第二金属层；无掩膜刻蚀所述第二金属层，在绝缘层表面形成第二测试针；

方案D，在所述基底上形成介质层，所述介质层中形成有若干第一通孔和环绕每个第一通孔的环形通孔，第一通孔和环形通孔之间通过部分介质层隔离；在第一通孔中填充金属形成第一测试针，在环形通孔中填充金属形成第二测试针，第一测试针和第二测试针之间部分介质层作为绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体测试治具的形成方法，其特征在于，所述过渡板包括隔离层和位于隔离层中的若干金属块。

3.如权利要求2所述的半导体测试治具的形成方法，其特征在于，所述过渡板的形成过程为：在所述介质层和测试针头上形成隔离层，所述隔离层中具有暴露出测试针头顶部表面的若干开口；在开口中填充满金属，形成金属块。

4.如权利要求1所述的半导体测试治具的形成方法，其特征在于，所述同轴测试针头包括第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。

5.如权利要求1所述的半导体测试治具的形成方法，其特征在于，所述基底内形成有信号传输电路，所述信号传输电路包括第一输入端、第一输出端、第二输入端和第二输出端，所述第一输出端与第一测试针的第一连接端电连接，所述第二输出端与第二测试针的第二连接端电连接，所述第一输入端和第二输入端分别与外部的测试电路电连接。