[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括承载装置和等离子体产生装置，所述承载装置用于承载基片，所述等离子体产生装置用于将反应腔室内的气体激发形成等离子体，所述承载装置设置在所述等离子体产生装置的下方；其特征在于，还包括金属板，所述金属板横向设置在所述承载装置和所述等离子体产生装置之间，且在所述金属板上设置有贯穿其厚度的多个通孔，并且，所述金属板与直流电源电连接，用以向所述金属板施加正电压，以排斥所述金属板上方的离子朝向所述承载装置扩散，在所述反应腔室的侧壁外侧，且位于所述金属板的上方和/或下方并靠近所述金属板的位置处设置有磁体，并且所述磁体沿所述反应腔室的周向设置。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，每个所述通孔的孔径接近或小于与之对应的等离子体鞘层在水平方向上的尺寸，用以阻挡离子经由所述通孔朝向所述承载装置扩散。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述通孔的孔径的预设范围在0.2～10mm。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述金属板的厚度范围在2～50mm。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述直流电源向所述金属板施加的正电压的范围在5～50V。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述磁体包括永磁体或电磁体。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述等离子体产生装置为感应耦合等离子体产生装置。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室的顶壁为穹顶结构，所述感应耦合等离子体产生装置包括感应线圈，所述感应线圈缠绕在所述穹顶结构的顶壁的外侧，并且

所述金属板设置在具有穹顶结构的所述顶壁下端的下方。

9.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括上腔体和下腔体，所述上腔体叠置在所述下腔体的侧壁上形成所述反应腔室，所述上腔体为桶状结构，所述感应耦合等离子体产生装置包括感应线圈，所述感应线圈缠绕在所述上腔体的侧壁外侧；并且

所述金属板设置在所述上腔体下端的下方。

10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，在所述上腔体的侧壁的内侧套置有法拉第屏蔽桶，所述法拉第屏蔽桶沿其轴向上设置有至少一条开缝。

11.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-10任意一项所述的反应腔室。

12.根据权利要求11所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体设备包括物理气相沉积设备，所述反应腔室包括预清洗腔室。