[发明专利]一种有机钙钛矿薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种有机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以含铅、锡或镉的化合物作为前驱体，将所述前驱体溶于溶剂中，配制成雾化溶液；采用超声雾化方法将所述前驱体沉积到衬底材料上；然后，将沉积有所述前驱体的衬底材料置于有机胺和卤化氢的混合气体中，一步法制得所述有机钙钛矿薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机钙钛矿薄膜的分子结构为ABC_3-xD_x，其中，A为甲胺、乙胺、或3-吡咯啉；B为金属离子铅、锡或镉；C、D为卤素离子；x值为0～3；其晶体结构为钙钛矿型。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含铅、锡或镉的化合物包括卤化铅、醋酸铅、卤化锡、醋酸锡或卤化镉。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺包括甲胺、乙胺、3-吡咯啉。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括水、二甲基甲酰胺、丙二醇或甘油。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化氢与有机胺气体之摩尔比＝1∶0.5～10。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)室温下，将含铅、锡或镉的化合物作为前驱体溶于溶剂中，配制成雾化溶液；

(2)将所配制的雾化溶液置于超声雾化装置中，在10～200℃内超声雾化，将所述前驱体沉积到衬底材料；

(3)将步骤(2)制得的沉积有前驱体的衬底材料转移至气相反应器中，通入卤化氢和有机胺的混合气体，在60～200℃下，制备得到所述有机钙钛矿薄膜。

8.一种按权利要求1方法制备得到的有机钙钛矿薄膜，其特征在于，所述有机钙钛矿薄膜分子结构为ABC_3-xD_x；其中，A为甲胺、乙胺或3-吡咯啉；B为金属离子铅、锡或镉；C、D为卤素离子；x值为0～3；其晶体结构为钙钛矿型。