[发明专利]一种干膜抗蚀剂

说明书

本发明公开了一种干膜抗蚀剂，主要包含A、B、C三种组分，且组分A、B、C的质量比为15‑45：0.5‑10：50‑70，其中，A组分为带有至少两个可聚合的不饱和键的单体；B组分为光引发剂；C组分为重均分子量在5000‑500000的碱溶性共聚物树脂；该干膜抗蚀剂作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂材料，具有特别好的附着力、更高的分辨率，以及更好的光敏性等综合性能。可广泛应用在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域。

技术领域

本发明涉及一种新型的，可进行碱溶液显影的干膜抗蚀剂。

背景技术

在印刷电路板、引线框架、半导体封装等的制造、BGA(Ball Grid Array)、CPS(Chip Size Package)等的封装中，干膜抗蚀剂广泛用于刻蚀或电镀等过程的抗蚀剂材料。例如，在制造印刷电路板时，首先，在铜基板上层压干膜抗蚀剂，用具有图形的掩模遮盖于干膜抗蚀剂，进行曝光，图形曝光后，用显影液去除未曝光部位，再实施刻蚀或电镀处理而形成图形，最后用去除剂剥离去除固化部分，从而实现图形转移。

近年来，随着电子设备向着轻薄短小的方向发展，其所搭载的印刷电路板、引线框架等图形的线条尺寸也越来越小，基板和已经形成图形的树脂组合物接触面积也处于变小的趋势，为了以更高良品率制造这种窄间距的线路图形，这就要求干膜抗蚀剂有更好的附着力、更高的分辨率，从节省能量角度看，要求干膜抗蚀剂有更好的光敏性。

作为这样要求的树脂组合物，文献(US4925768)以甲基丙烯酸甲酯，丙烯酸-2-乙基己酯，苄氧基(甲基)丙烯酸酯，甲基丙烯酸等单体共聚的产物，作为树脂组合物的主体树脂，添加光敏剂、活性稀释剂、颜料等。但该树脂组合物分辨率不够高，而且所需的曝光能量也较高，不能充分适应近年来的节能、窄间距化。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种干膜抗蚀剂，其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂材料，具有特别好的附着力、更高的分辨率，以及更好的光敏性等综合性能。

为了解决上述的问题，提供以下技术方案：一种干膜抗蚀剂，包含A、B、C三种组分，且组分A、B、C的质量比为15-45：0.5-10：50-70，其中，A组分为带有至少两个可聚合的不饱和键的单体；B组分为光引发剂；C组分为具有(I)结构，且重均分子量在5000-500000的碱溶性共聚物树脂，结构(I)如下式所示：

上式中，R₇表示H原子或甲基，R₁表示1-2个碳的烷基链，R₂表示4-12个碳的烷基链，R3表示3-12个碳的烷基链，R₄、R₅表示1-2个碳的烷基链，R₆表示H原子或者甲基，位置可在苯环上任意位置；m和n均为自然数，m数值介于1-4，n数值介于1-4；t、u、v、w、x、y、z分别代表所对应共聚单体在碱溶性共聚物树脂中所占的质量百分数，t的数值为5-75％；u的数值为1-40％；v的数值为5-50％；w的数值为1-20％；x的数值为0.1-20％；y的数值为1-20％；z的数值为15-50％。进一步地，所述A组分由三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯及甘油三丙酸酯中的一种或多种按照任意配比混合组成。

进一步地，所述B组分包括2，4，5-三芳基咪唑二聚体。