[发明专利]用于污水深度处理的Ti/SnO2‑Sb薄膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201410610823.6 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104528887B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 牛军峰;林辉;徐泽升 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C02F1/46 | 分类号： | C02F1/46 |
| 代理公司： | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11456 | 代理人： | 许玉顺 |
| 地址： | 100035 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 污水 深度 处理 ti sno2 sb 薄膜 电极 制备 方法 | ||
1.一种用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极的制备方法，该方法包括以下步骤：Ti基体预处理步骤、锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤、陈化步骤、Ti/SnO2-Sb电极制备步骤，其中，
所述锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤中，碳原子数为2～8的多元羧酸与碳原子数为2～5的多元醇缩聚而成的聚合物，并与锡锑离子螯合；
陈化步骤，在常温下，陈化30～90天；
Ti/SnO2-Sb薄膜电极制备步骤，在所述经过预处理的Ti基板上涂布得到。
2.根据权利要求1所述的用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述碳原子数为2～8的多元酸为柠檬酸。
3.根据权利要求1所述的用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述碳原子数为2～5的多元醇为乙二醇。
4.根据权利要求1所述的用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述的陈化时间为60天。
5.根据权利要求1所述的用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极的制备方法，其特征在于，乙二醇:柠檬酸:SnCl4:SbCl4＝135:30:8.5:1.5(摩尔比)。
6.一种用于污水深度处理的Ti/SnO2-Sb薄膜电极，其特征在于，使用权利要求1至5中任一项所述的制备方法制备得到。
7.一种污水深度处理方法，其特征在于，使用权利要求6所述的Ti/SnO2-Sb薄膜电极进行污水深度处理。
8.根据权利要求7所述的污水深度处理方法，其特征在于，所述污水包括有机工业废水、焦炭废水。
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