[发明专利]一种宽带隙肖特基二极管氢气传感器芯体及其制备方法在审
| 申请号： | 201410611721.6 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104374817A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;谢贵久;景涛;曹勇全;陈伟;龚星;袁云华;靳建军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 隙肖特基 二极管 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽带隙肖特基二极管氢气传感器芯体，依次包括基片（1）、介质层（2）和氢气敏感层（3），其特征在于：所述介质层（2）为二氧化铪薄膜。
2.如权利要求1所述的芯体，其特征在于：所述二氧化铪薄膜的厚度为2～20 nm。
3.如权利要求1所述的芯体，其特征在于：所述氢气敏感层（3）为金属钯镍合金。
4.如权利要求1所述的芯体，其特征在于：所述基片（1）为N型硅片。
5.如权利要求4所述的芯体，其特征在于：所述N型硅片的电阻率为0.1～20 Ω·cm。
6.一种如权利要求1-5所述芯体的制备方法，依次包括以下步骤：
a.先清洗基片表面，再去除基片表面的氧化层；
b.再在基片表面制备二氧化铪薄膜；
c.在二氧化铪薄膜上制备氢气敏感层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤b中制备二氧化铪薄膜的方法为磁控溅射、离子束溅射或脉冲激光沉积。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤c中制备氢气敏感层的方法为磁控溅射、离子束溅射、脉冲激光沉积、热蒸发或电子束蒸发。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所，未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410611721.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
