[发明专利]一种光伏‑热效太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410611766.3 申请日: 2014-11-04
公开(公告)号: CN105633197B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 杨永清 申请(专利权)人: 杨永清
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0525
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制作方法
【权利要求书】:

1.一种光伏-热效太阳能电池的制作方法,其特征是包括依次按照下列步骤制作:先在洁净的基板(1)上丝网印刷一层铜浆,经120~200℃真空干燥,再电镀上一层铜膜,预留焊接引线的位置,形成第一导电金属层(2);在第一导电金属层(2)上旋涂一层第一n型氧化钴钙热效半导体薄膜(31),经120~200℃真空干燥,再在第一n型氧化钴钙热效半导体薄膜(31)上旋涂一层第一p型氧化钴钙热效半导体薄膜(32),经120~200℃真空干燥,形成第一热效半导体薄膜(3);在第一热效半导体薄膜(3)上按照制作第一导电金属层(2)的方法制作第二导电金属层(4);在第二导电金属层(4)上按照制作第一热效半导体薄膜(3)的方法制作第二n型氧化钴钙热效半导体薄膜(51)和第二p型氧化钴钙热效半导体薄膜(52),形成第二热效半导体薄膜(5);在第二热效半导体薄膜(5)上按照制作第一导电金属层(2)的方法制作第三导电金属层(6);再在第三导电金属层(6)上旋涂一层n型CdS光伏半导体薄膜(71),经120~200℃真空干燥,再在n型CdS光伏半导体薄膜(71)上旋涂一层p型Cu2S光伏半导体薄膜(72),经120~200℃真空干燥,形成光伏半导体薄膜(7);在光伏半导体薄膜(7)上再旋涂一层SnO2,经120~200℃真空干燥,形成导电层(8);上面步骤形成的为光伏-热效电池的本体,本体还需要整体经过750~800℃烧结,恒温保持3~5小时 ,然后按50℃/小时的速度降温退火,直到常温;然后再在导电层(8)上附加透明保护层(9),并留出引线焊接位置;在第一导电金属层(2)和导电层(8)上焊接引线和外引端子,最后进行封装,形成光伏-热效太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的光伏-热效太阳能电池的制作方法,所述的光伏半导体薄膜(7)、第一热效半导体薄膜(3)、第二热效半导体薄膜(5)的成膜方法是采用旋涂、丝网印刷、喷涂、提拉、流延、真空镀膜、粒子溅射、脉冲激光沉积任意一种的工艺方法。

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