[发明专利]具有底部屏蔽的有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201410611792.6 | 申请日: | 2014-11-04 |
公开(公告)号: | CN104393018B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 崔宰源;J-P·吉洛;张世昌;蔡宗廷;V·格普塔;朴英培 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 底部 屏蔽 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种显示器,包括:
基板;
薄膜晶体管,其形成于所述基板上;
至少一个缓冲层,其插置于所述薄膜晶体管和所述基板之间;以及
透明导电屏蔽结构,其直接在所述薄膜晶体管之下而形成于所述缓冲层中。
2.根据权利要求1所述的显示器,其中所述透明导电屏蔽结构是电浮置的。
3.根据权利要求1所述的显示器,还包括:
电源线路,其中所述透明导电屏蔽结构短接到所述电源线路。
4.根据权利要求1所述的显示器,还包括:
阴极电极,其通过通孔而短接到所述透明导电屏蔽结构。
5.根据权利要求1所述的显示器,其中所述薄膜晶体管具有在栅极绝缘层上形成的栅极,并且其中所述透明导电屏蔽结构不与所述栅极绝缘层直接接触。
6.根据权利要求1所述的显示器,还包括:
另外的薄膜晶体管,其中所述透明导电屏蔽结构仅形成于所述薄膜晶体管下方而不在所述另外的薄膜晶体管下方。
7.一种制造显示器像素的方法,包括:
在基板上方形成薄膜晶体管;
形成插置于所述薄膜晶体管和所述基板之间的缓冲层;以及
在所述缓冲层中形成用于所述薄膜晶体管的电场屏蔽。
8.根据权利要求7所述的方法,其中形成所述电场屏蔽包括在所述薄膜晶体管正下方形成导电屏蔽结构。
9.根据权利要求7所述的方法,还包括:
形成耦合到所述薄膜晶体管的发光二极管。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述发光二极管具有阴极电极,所述方法还包括:
通过导电通孔结构将所述电场屏蔽短接到所述阴极电极。
11.根据权利要求7所述的方法,其中所述电场屏蔽不是有源驱动的。
12.根据权利要求7所述的方法,还包括:
在所述基板上方形成另外的薄膜晶体管;以及
在所述缓冲层中形成用于所述另外的薄膜晶体管的另外电场屏蔽。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在所述缓冲层中形成短接所述电场屏蔽和所述另外电场屏蔽的导电通路。
14.一种电子设备显示器,包括:
布置成阵列的显示器像素,其中所述阵列中的每个显示器像素包括:
驱动晶体管;
至少一个开关晶体管;以及
透明导电屏蔽,其形成于所述驱动晶体管下方但不位于所述至少一个开关晶体管下方;以及
导电路径,其传递信号至所述显示器像素,其中所述透明导电屏蔽针对在所述阵列中的所述显示器像素中的至少一个显示器像素中的导电路径产生的电场遮挡所述驱动晶体管。
15.根据权利要求14所述的电子设备显示器,其中所述阵列中的每个显示器像素还包括耦合到所述驱动晶体管的发光二极管。
16.根据权利要求15所述的电子设备显示器,其中所述阵列中的每个显示器像素中的所述透明导电屏蔽是电浮置的。
17.根据权利要求15所述的电子设备显示器,其中所述阵列中的每个显示器像素中的所述透明导电屏蔽短接到公共电极。
18.根据权利要求15所述的电子设备显示器,其中所述阵列的第一部分中的每个显示器像素中的所述透明导电屏蔽是电浮置的,并且其中所述阵列的第二部分中的每个显示器像素中的所述透明导电屏蔽短接到公共电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的