[发明专利]一种发光二极管外延结构

权利要求书

1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次排列的衬底(1)、过渡层(2)、u型氮化镓层(3)、n型氮化镓层(4)、量子阱层(5)和p型氮化镓层(6)；

所述n型氮化镓层(4)的电子浓度渐变，远离所述量子阱层(5)侧电子浓度高于靠近所述量子阱层(5)侧电子浓度。

2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述n型氮化镓层(4)与N型电极(8)的接触面为斜面，所述斜面下方同一水平面上靠近P型电极(7)的一端电子浓度低于远离P型电极(7)的一端。

3.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述n型氮化镓层(4)与N型电极(8)的接触面为斜面，所述斜面靠近P型电极(7)的一端高于远离P型电极(7)的一端。

4.如权利要求1-3任一项所述的外延结构，其特征在于，所述n型氮化镓层(4)包括Ga_1-x-yN半导体层和掺杂元素Si，所述x和y为随机常数，范围是0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1；

所述掺杂元素Si的浓度范围是1×10¹⁷/cm³～9×10²²/cm³，厚度为0.01～100um。