[发明专利]体接触型金属氧化物半导体场效应晶体管设备

权利要求书

1.一种体接触型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET设备，其特征在于，包含：

基板；

设置于该基板上的有源区；

栅极带，设置于该有源区的第一部分并沿着第一方向予以延展；

源极掺杂区与漏极掺杂区，分别设置于该有源区的第二部分和第三部分，分别与该栅极带的两个相对的侧边相邻，其中该栅极带的相对的侧边沿该第一方向予以延展；以及

体接触掺杂区，设置于该有源区的第四部分，其中该体接触掺杂区与该栅极带被该有源区的第五部分隔离开，该有源区的第五部分未被任何硅化物面所覆盖；

其中，该体接触掺杂区沿该第一方向以相同的距离与该栅极带、该源极掺杂区与该漏极掺杂区隔离。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该源极掺杂区与漏极掺杂区具有第一导电类型，以及该体接触掺杂区具有第二导电类型，该第一导电类型与第二导电类型相反。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该体接触掺杂区与该栅极带分别与该有源区的第五部分沿第二方向上的两个相对的侧边相邻，以及该有源区的第一部分与第四部分分别与该有源区的第五部分沿第二方向上的两个相对的侧边相邻，

该第二方向不同于该第一方向。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，该有源区的第五部分在沿该第二方向上的宽度大于该栅极带沿该第二方向上的宽度，并小于或等于该源极掺杂区与漏极掺杂区之间沿该第二方向上相隔的最大距离。

5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，该有源区的第五部分在沿该第二方向上的宽度等于或小于该栅极带沿该第二方向上的宽度。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该有源区的第五部分未被该栅极带所覆盖。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该有源区的第四部分与该有源区的第二部分和第三部分相隔一段距离，以及该距离等于该有源区的第五部分沿该第一方向的长度。

8.一种体接触型MOSFET设备，其特征在于，包含：

基板；以及

设置于该基板上的有源区，该有源区包含：

MOSFET部分，一MOSFET形成于其上；

体接触掺杂区部分，一体接触掺杂区形成于其上，其中该MOSFET部分与该体接触掺杂区部分相隔离；以及

连接部分，位于该MOSFET部分与体接触掺杂区部分之间并均与该MOSFET部分与体接触掺杂区部分相连接，其中该连接部分未被任何硅化物面所覆盖；

其中，该MOSFET包含：

栅极带，覆盖于该MOSFET部分上；以及

源极掺杂区与漏极掺杂区，位于该MOSFET部分上，分别与该栅极带沿沟道长度方向上的两个相对的侧边相邻，并沿该沟道宽度方向彼此相隔离；

其中，该体接触掺杂区以相同的距离与该栅极带、该源极掺杂区与该漏极掺杂区隔离。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，该MOSFET具有沟道宽度方向与沟道长度方向，该沟道宽度方向与沟道长度方向相垂直。

10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，该MOSFET部分沿该沟道长度方向与该体接触掺杂区部分相隔离。

11.如权利要求8所述的设备，其特征在于，该源极掺杂区与该漏极掺杂区具有第一导电类型，以及该体接触掺杂区具有第二导电类型，该第一导电类型与第二导电类型相反。

12.如权利要求8所述的设备，其特征在于，该体接触掺杂区与该栅极带分别与该连接部分沿该沟道宽度方向上的两个相对的侧边相邻。

13.如权利要求8所述的设备，其特征在于，该连接部分在沿该沟道宽度方向上的宽度小于或等于该栅极带沿该沟道宽度方向上的宽度。