[发明专利]一种陶瓷金卤灯电极及其制备方法在审
申请号: | 201410613423.0 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN104409315A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 朱惠冲 | 申请(专利权)人: | 朱惠冲 |
主分类号: | H01J61/073 | 分类号: | H01J61/073;H01J9/02 |
代理公司: | 佛山东平知识产权事务所(普通合伙) 44307 | 代理人: | 詹仲国 |
地址: | 528226 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 金卤灯 电极 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及陶瓷金卤灯技术领域,更具体的是涉及一种陶瓷金卤灯的电极及其制备方法。
背景技术
陶瓷金卤灯是一种比较先进光源,寿命长,光效高、显色性好。陶瓷金卤灯的结构上的特点是电极,如图1所示,它是GE、飞利浦的电极结构示如图,其结构是在铌杆1a前端为一绕有钼螺旋2a的较细钼杆3a,钼杆3a前端则为一段更细的钍钨丝杆4a,其前端绕有数圈钨丝5a。此种结构的电极直径较粗能填满电弧管的袖管,但又有相当柔性,不致因温度变化而给陶瓷袖管过大应力使之撑裂;这种电极有足够好的电导率,而热阻较大,从电极尖端或电极引线传向陶瓷袖管的热量较少,不致引起过高升温而影响封接可靠性。上述电极结构虽然十分巧妙可靠但制造复杂,制备成本高,而且在电极与陶瓷袖管之间存在较大空隙,运转时大量金属卤化物渗入并沉积其中,影响灯参数如灯压降、光通量、色温和显色指数的稳定性;而且,这种电极一般只能用于双端陶瓷金卤灯,双端陶瓷金卤灯的电弧管的封结需要采用二次成型工艺,即先封一端,然后再将电弧管连同电极掉头再封一端,封结工艺较为复杂,而且整过过程都需要在真空环境下进行,制备成本高。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种结构简单,制备工艺简单,成本低的陶瓷金卤灯电极。
本发明的另一目的是提供一种陶瓷金卤灯电极的制备方法。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的:一种陶瓷金卤灯电极,包括钨铌杆,其特征在于,所述钨铌杆的后部为铌杆段,前部为钨杆段,铌杆段末端连接的钨杆段上绕制有钼螺旋,钨铌杆的前端设置有带弧面的端头,端头的一侧向外延伸为凸位。
作为上述方案的进一步说明,所述钨铌杆的前端端头外径是其杆身直径的1.2-2.5倍。
所述钨杆段的端面为平面,带弧面的端头垂直设置在该平面上。
一种所述陶瓷金卤灯电极的制备方法,它是先将钼螺旋绕制在钨铌杆的钨杆段上,然后将钨铌杆放置于真空箱中,用激光进行焊接,在焊接时,激光的光束对准钨铌杆中轴线后,平行下移相当于钨铌杆电极端头外径的25-35%。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是:
1、本发明采用在钨铌杆的前端设置带弧面的端头,端头的一侧向外延伸为凸位,能解决陶瓷金卤灯的单端制造问题,对其电弧管能实现一次封结,节约了一次封结使用真空箱的成本,封结成本可降低30%。
2、解决了光源的定向利用,可比原传统双端金卤灯节约30%的光能。
附图说明
图1为现有的陶瓷金卤灯电极的结构示意图;
图2为本发明的陶瓷金卤灯电极的结构示意图。
附图标记说明:1a、铌杆 2a、钼螺旋 3a、钼杆 4a、钍钨丝杆 5a、钨丝 1、铌杆段 2、钨杆段 3、钼螺旋 4、端头 5、凸位。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步的详述。
实施例1
如图2所示,本发明一种陶瓷金卤灯电极,包括钨铌杆,所述钨铌杆的后部为铌杆段1,前部为钨杆段2,铌杆段2末端连接的钨杆段上绕制有钼螺旋3,钨杆段的端面有平面,该平面上垂直设置有带弧面的端头4,端头4的一侧向外延伸为凸位5。钨铌杆的前端端头外径是其杆身直径的1.5倍。
一种所述陶瓷金卤灯电极的制备方法,它是先将钼螺旋绕制在钨铌杆的钨杆段上,然后将钨铌杆放置于真空箱中,用激光进行焊接,在焊接时,激光的光束对准钨铌杆中轴线后,平行下移相当于钨铌杆电极端头外径的28%,这样做的目的是使端头的底部在重力作用下向下延伸为凸位,满足工艺加工要求。
实施例2
本实施例中,钨铌杆的前端端头外径是其杆身直径的1.3倍。所述陶瓷金卤灯电极的制备方法,它是先将钼螺旋绕制在钨铌杆的钨杆段上,然后将钨铌杆放置于真空箱中,用激光进行焊接,在焊接时,激光的光束对准钨铌杆中轴线后,平行下移相当于钨铌杆电极端头外径的35%。
本发明采用在钨铌杆的前端设置带弧面的端头,端头的单侧向外延伸为凸位,能解决陶瓷金卤灯的单端制造问题,对其电弧管能实现一次封结,节约了一次封结使用真空箱的成本,封结成本可降低30%,并且解决了光源的定向利用。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
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