[发明专利]电容的制作方法、电容和电容组件

权利要求书

1.一种电容的制作方法，其特征在于，包括：

在形成的P阱区和N阱区的硅片基材上形成场氧化层；

刻蚀去除所述N阱区的中心区域的上方的所述场氧化层；

在所述N阱区的中心区域的上方形成图形化的栅氧化层和多晶硅层， 其中，在所述栅氧化层与所述场氧化层之间、所述N阱区上方的区域形成 至少两个待注入离子的区域；

在所述至少两个区域中的任一个形成P型重掺杂区；

在所述至少两个区域中的另一个形成N型重掺杂区；

在形成所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区的硅片基材上形成隔 离层；

在所述隔离层上对应所述P型重掺杂区、N型重掺杂区和多晶硅区的 上方形成金属接触孔；

在所述金属接触孔上方形成金属层并对所述金属层进行图形化处理以 形成P电极、N电极以及多晶硅电极。

2.根据权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述场氧 化层的厚度为1000埃至6000埃。

3.根据权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述栅氧 化层的厚度处于100埃至1000埃之间。

4.根据权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述多晶 硅层的厚度处于2000埃至3000埃之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容的制作方法，其特征在 于，所述隔离层的厚度处于5000埃至10000埃之间。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电容的制作方法，其特征在 于，所述金属层包括铝铜合金层。

7.根据权利要求6所述的电容的制作方法，其特征在于，所述铝铜 合金层的厚度为3000埃至15000埃。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的电容的制作方法，其特征在 于，所述场氧化层的形成方法包括热氧化工艺。

9.一种电容，其特征在于，所述电容采用如权利要求1至8中任一 项所述的电容的制作方法制备而成。

10.一种电容组件，其特征在于，包括：

至少两个如权利要求1至8中任一项所述的电容的制作方法制备而成 的电容；

至少两个所述电容中的中任一个作为第一电容，至少两个所述电容中 的中另一个作为第二电容，所述第一电容的多晶硅电极与所述第二电容的 P型电极以及所述第二电容的N型电极相连接；以及

所述第二电容的多晶硅电极与所述第一电容的P型电极以及所述第一 电容的N型电极相连接。