[发明专利]大功率半导体装置

权利要求书

1.大功率半导体装置，所述大功率半导体装置具有基板(19)和布置在所述基板(19)上并且与所述基板(19)相连的大功率半导体结构元件(22)，其中，所述大功率半导体装置(1)具有构成结构单元的负载连接装置(2)和壳体，所述壳体具有包括凹口(10)的第一壳体件(9)，其中，用于电接触所述大功率半导体装置(1)的负载连接装置(2)具有穿过所述凹口(10)延伸的导电的第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件具有布置在壳体外部的外部连接区段(3a)和布置在壳体内部的内部连接区段(3b)，其中，所述负载连接装置(2)具有压力元件(7、7’)，所述外部连接区段(3a)穿过所述压力元件延伸并且所述压力元件与所述外部连接区段(3a)材料配合地连接，其中，所述大功率半导体装置(1)具有压合接头(35、35’)，所述压合接头相对于所述第一壳体件(9)的外侧(16)挤压所述压力元件(7、7’)并且使所述压力元件(7、7’)与所述第一壳体件(9)的内侧(15)相连。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体装置，其特征在于，所述压合接头(35)能够使所述压力元件(7)具有穿过所述凹口(10)延伸到壳体内部的保持元件(8)，其中楔形元件(17)布置在所述保持元件(8)和所述第一壳体件(9)的内侧(15)之间，所述楔形元件抵压所述保持元件(8)并且抵压所述第一壳体件(9)的内侧(15)。

3.根据权利要求2所述的大功率半导体装置，其特征在于，所述楔形元件(17)借助卡锁连接固定在所述保持元件(8)上。

4.根据权利要求1所述的大功率半导体装置，其特征在于，所述压合接头(35’)是卡锁连接件。

5.根据前述权利要求中任意一项所述的大功率半导体装置，其特征在于，所述压力元件(7、7’)由热塑性塑料或者热固性塑料构成。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的大功率半导体装置，其特征在于，在所述压力元件(7、7’)和所述第一壳体件(9)的外侧(16)之间布置封闭地环绕所述负载连接装置(2)的第一负载连接元件(3)的密封件(28)。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的大功率半导体装置，其特征在于，所述压力元件(7、7’)与所述外部连接区段(3a)材料配合地直接连接。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的大功率半导体装置，其特征在于，通过在所述压力元件(7、7’)和所述外部连接区段(3a)之间布置弹性体(5)，所述弹性体使得所述压力元件(7、7’)与所述外部连接区段(3a)材料配合地连接，由此使所述压力元件(7、7’)与所述外部连接区段(3a)材料配合地连接。

9.根据权利要求1至4中任意一项所述的大功率半导体装置，其特征在于，用于电接触所述大功率半导体装置(1)的负载连接装置(2)具有穿过所述凹口(10)延伸的导电的第一负载连接元件(3)和第二负载连接元件(4)，所述第一负载连接元件和第二负载连接元件分别具有布置在壳体外部的外部连接区段(3a、4a)和布置在壳体内部的内部连接区段(3b、4b)，其中，所述负载连接装置(2)具有压力元件(7、7’)，各个负载连接元件(3、4)的外部连接区段(3a、4a)穿过所述压力元件延伸并且所述压力元件与各个负载连接元件(3、4)的外部连接区段(3a、4a)材料配合地连接。