[发明专利]一种非对称FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410614572.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105633151B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种非对称FinFET结构的制造方法，包括：
a.提供衬底(100)，衬底(100)上具有鳍片(200)、位于鳍片两侧的浅沟槽隔离(400)、位于鳍片中部的伪栅空位、位于伪栅空位两侧的侧墙(300)，以及位于所述侧墙两侧浅沟槽隔离上方的层间介质层(450)；
b.在所述伪栅空位中的鳍片(200)上形成栅极介质层(510)；
c.在所述栅极介质层(510)和层间介质层(450)上形成掩膜(520)；
d.在所述掩膜(520)上涂覆光刻胶，并刻蚀掉位于伪栅空位中靠近源漏区中的漏区的部分光刻胶，形成开口；
e.从所述开口对掩膜(520)进行各项同性刻蚀，形成掩膜空位，露出掩膜下方的栅极介质层(510)；
f.对掩膜空位下方的栅极介质层(510)进行外延生长，使其填充所述掩膜空位，并去除掩膜(520)；
g.在所述伪栅空位中的栅极介质层上方形成栅极叠层(240)。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤b中，所述栅极介质层(510)的材料是氧化硅。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，所述掩膜(520)的材料是氮化硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，所述掩膜(520)的厚度是2-10nm。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤e中，所述掩膜空位的长度是2-40nm。
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