[发明专利]采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法

权利要求书

1.采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），所述第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型场限环（120），所述第一导电类型衬底（110）的第一主平面上，设有第一绝缘层（130）；所述第一绝缘层（130）上、且位于第二导电类型场限环（120）的两侧各设有一块场板；所述两块场板上设有第二绝缘层（150），所述第二绝缘层（150）上设有金属场板（160）；所述金属场板（160）的底部与第二导电类型场限环（120）接触，所述金属场板（160）覆盖第二导电类型场限环（120）的区域及其两侧；

所述两块场板位于第一绝缘层（130）的上面、且覆盖在第二导电类型场限环（120）的两侧，所述场板包括多晶截止场板（141）和多晶延伸场板（142），所述金属场板（160）的一端与多晶截止场板（141）接触相连，其另一端与多晶延伸场板（142）接触相连。

2.根据权利要求1所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述金属场板（160）的一端通过第二绝缘层（150）上的电极接触孔与多晶截止场板（141）接触相连，其另一端通过第二绝缘层（150）上的电极接触孔与多晶延伸场板（142）接触相连。

3.根据权利要求2所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述金属场板（160）的两端均沿外侧方向、且向下方弯折。

4.根据权利要求3所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述多晶截止场板（141）和多晶延伸场板（142）为多晶硅。

5.根据权利要求1所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述第二绝缘层（150）位于场板的上面，覆盖整个场板。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述金属场板（160）位于第二绝缘层（150）的上面，覆盖整个第二导电类型场循环的区域，所述金属场板（160）与第二导电类型场限环（120）相连。

7.根据权利要求3所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述金属场板（160）覆盖整个或者部分场板的区域，在覆盖场板的区域设有电极接触孔，所述金属场板（160）的一端通过第二绝缘层（150）上的电极接触孔与多晶截止场板（141）接触相连，其另一端通过第二绝缘层（150）上的电极接触孔与多晶延伸场板（142）接触相连。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构其特征在于：所述第一导电类型衬底（110）的第二主面处，依次设置有第一导电类型场截止层、第二导电类型集电极和背面金属；所述第一导电类型场截止层和第二导电类型集电极位于第二主面下表面以内，而背面金属位于第二主面下表面之外；第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述第一导电类型衬底（110）为硅衬底，第一导电类型衬底（110）的第一主面为其正面，第一导电类型衬底（110）的第二主面为其背面。

9.根据权利要求8所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构，其特征在于：所述第二导电类型场限环（120）的扩散深度为1um-10um；所述第一绝缘层（130）为二氧化硅层，厚度为0.5um~5um；所述场板中的多晶截止场板（141）宽度为0 um ~30um；场板中的多晶延伸场板（142）宽度为0 um ~50um。

10.根据权利要求1所述的采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构的制造方法，其特征在于：一种采用多晶截止场板的半导体器件终端单元结构的制造方法，具体的制造工序为：

A.在第一导电类型衬底（110）的第一主面上，用热氧化、LPCVD或PECVD的方法生长第一绝缘层（130）；

B. 通过光刻、干法刻蚀对第一绝缘层（130）进行刻蚀，形成注入窗口区；

C. 在窗口区中注入第二导电类型杂质，进行退火、推阱处理，形成第二导电类型场限环（120）；

D. 在栅极绝缘层的上面用LPCVD或PECVD的方法，沉积多晶硅层；

E. 使用POCl3对多晶硅层进行掺杂；

F. 通过光刻、干法刻蚀对多晶硅栅极层进行刻蚀，形成窗口区和多晶截止场板（141）和多晶延伸场板（142）；

G. 通过LPCVD或PECVD沉积第二绝缘层（150），通过干法刻蚀，形成接触孔；

I. 在第一导电类型衬底（110）的第一主面和第二主面上通过蒸发或者溅射制作金属层，并通过光刻、湿法刻蚀形成金属场板（160）；

所述第二导电类型场限环（120）掺杂浓度高于第一导电类型衬底（110）的掺杂浓度；所述第二绝缘层（150）为通过LPCVD或PECVD淀积的TEOS二氧化硅、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG或氮化硅SiNx，以及它们的任意组合。