[发明专利]一种微波薄膜电阻制造方法

权利要求书

1.一种微波薄膜电阻制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(101)、分类电阻，把电阻分成低精度电阻和高精度电阻；

步骤(102)、低精度电阻采用高方阻设计；

步骤(103)、高精度电阻采用低方阻设计；

步骤(104)、绘制电阻及电路图形；

步骤(105)、采用薄膜工艺制作薄膜电阻；

步骤(106)、采用热氧化法调阻低精度电阻；

步骤(107)、采用阳极氧化法调阻高精度电阻。

2.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，其特征在于，所述步骤(101)中，根据电阻阻值精度要求把同一电路中所有电阻进行分类，对于标称电阻值允许偏差范围大于±10％的电阻定义为低精度电阻，对于标称电阻值允许偏差范围小于±10％的电阻定义为高精度电阻。

3.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(102)中，对低精度电阻进行尺寸设计，首先根据电路功能需求计算出电阻值R，确定常用方阻值Q，常用方阻定义为高方阻；然后根据电阻计算公式R＝Q×L/M，通过电阻需要长度尺寸L，计算出来电阻宽度尺寸M，或者根据宽度尺寸M计算出长L，最终确定电阻的图形尺寸。

4.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(103)中，对高精度电阻进行尺寸设计，首先根据电路功能需求计算出电阻值R1，确定常用方阻值Q，高精度方阻大小为低精度电阻设计所用常用方阻的70～80％，定义为低方阻Q1；然后根据电阻计算公式R1＝Q1×L/M，通过需要长度尺寸L，计算出来宽度尺寸M，或者根据宽度尺寸M计算出长度尺寸L，最终确定电阻的图形尺寸。

5.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(104)中，根据步骤(102)、(103)两个步骤中计算的电阻尺寸，绘制需要的电阻图形，同时绘制非电阻部分的电路图形，形成最终的薄膜电路图形，同时根据设计的薄膜电路图形制作光刻用掩膜胶版。

6.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(105)中，采用薄膜加工工艺用步骤(104)中制作的光刻掩膜胶版制作薄膜电阻，包括基片清洗、溅射镀膜、光刻、电镀步骤。

7.如权利要求6所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(105)中，溅射镀膜步骤制作的电阻膜为TaN电阻膜，溅射电阻方阻为常用方阻Q的85～95％。

8.如权利要求6所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(105)中，光刻步骤具体包括：在基片上涂胶——前烘——曝光——显影——后烘——刻蚀——去胶，最终形成电阻膜层。

9.如权利要求1所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(106)中，对薄膜电阻进行调阻，采用热氧化调阻的方法，把整个基片上所有低精度电阻修正到位。

10.如权利要求9所述的一种微波薄膜电阻制造方法，所述步骤(107)中，热氧化调阻后，采用阳极氧化调阻的方法，对基片上高精度电阻逐个修正到位。