[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种半导体器件，包括：

垂直IGFET，在半导体主体的第一区域中，垂直IGFET具有在主体区带和漏电极之间的漂移区带，漂移区带具有第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布，所述分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与漏电极的距离而下降并且在邻近漏电极的第一区带中主导垂直的掺杂剂分布，所述第二掺杂剂分布是展宽的峰掺杂剂分布并且在邻近主体区带的第二区带中主导垂直的掺杂剂分布；以及

进一步半导体部件，在半导体主体的第二区域中形成，其中漂移区带的第二掺杂剂分布在第二区域中不存在；

其中漂移区带的垂直的掺杂剂分布在第二区带中具有局部掺杂剂最大值，并且局部掺杂剂最大值位于垂直IGFET的栅沟槽以下。

2.权利要求1的所述半导体器件，其中垂直的掺杂剂分布在第二区带中具有肩部。

3.权利要求1的所述半导体器件，其中第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布包括不同的掺杂剂。

4.权利要求3的所述半导体器件，其中不同的掺杂剂包括磷和砷。

5.权利要求1的所述半导体器件，其中展宽的峰掺杂剂分布是高斯分布。

6.权利要求1的所述半导体器件，进一步包括在漏电极和漂移区带之间的漏区带，所述漏区带包括第一导电性类型的半导体衬底并且漂移区带包括在半导体衬底上生长的至少一个半导体层。

7.一种半导体器件，所述半导体器件具有第一区域和第二区域，所述半导体器件包括：

第一导电性类型的半导体衬底；

在半导体衬底上的半导体层结构，具有第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布，所述分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与半导体衬底的距离而下降，所述第二掺杂剂分布是在第一区域中选择性地形成的展宽的峰掺杂剂分布；以及

沟槽，形成在第一区域中的半导体层结构中；

其中所述第二掺杂剂分布具有位于所述沟槽以下的局部掺杂剂最大值。

8.权利要求7的所述半导体器件，其中半导体衬底的第一区域包括垂直IGFET并且第二区域包括进一步的半导体部件。

9.权利要求8的所述半导体器件，其中半导体层结构包括在半导体衬底的第一区域中的垂直IGFET的漂移区带和在半导体衬底的第二区域中用于将进一步半导体部件与半导体衬底绝缘的结隔离区带。

10.权利要求7的所述半导体器件，其中第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布包括不同的掺杂剂。

11.权利要求10的所述半导体器件，其中不同的掺杂剂包括磷和砷。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在具有连续的第一区域和第二区域的第一导电性类型的半导体衬底上形成第一半导体层；

在第一半导体层的连续的第一区域中引入第一导电性类型的掺杂剂；

在第一半导体层上形成第二半导体层；并且

在连续的第一区域中的第二半导体层中形成沟槽；

其中第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与半导体衬底的距离而下降，所述第二掺杂剂分布是在第一区域中选择性地形成的展宽的峰掺杂剂分布；并且

其中所述第二掺杂剂分布具有位于所述沟槽以下的局部掺杂剂最大值。

13.权利要求12的所述方法，其中沟槽终止在第二半导体层中。

14.权利要求12的所述方法，进一步包括将半导体衬底的和第一半导体层的掺杂剂热诱导扩散进入第一半导体层和第二半导体层。

15.权利要求12的所述方法，其中第一半导体层和第二半导体层中的至少一个是不掺杂的层。

16.权利要求12的所述方法，其中在半导体衬底和第一半导体层中的掺杂剂是不同的。

17.权利要求12的所述方法，进一步包括：在半导体衬底的第一区域中形成具有在半导体衬底中的漏区带的垂直IGFET，并且在半导体衬底的第二区域中形成与半导体衬底电绝缘的进一步半导体部件。