[发明专利]一种快恢复二极管模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种快恢复二极管模块。

背景技术

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，FRD(Fast Recovery Diode，快恢复二极管)作为一种高频器件也得到了蓬勃发展，现已广泛应用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收和隔离作用。为提高模块的过电流能力、功率密度，模块化封装的FRD采用并联的方式，将多颗小电流芯片并联，以得到大电流FRD模块。随着电力技术的发展，需要并联的芯片数量增多，如果均流性差，FRD模块容易出现因过流击穿损坏、失效的问题。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种快恢复二极管模块。

一种快恢复二极管模块，包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少三个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少三个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，至少三个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等，并且所述至少三个快恢复二极管芯片的任一个芯片的中心与其它各快恢复二极管的芯片中心的距离之和相等。

进一步地，所述至少三个快恢复二极管芯片的任一个芯片与其它各快恢复二极管芯片的最小间距小于其中A_ch为快恢复二极管芯片的面积。

进一步地，所述至少三个快恢复二极管芯片的中心之间的连线构成以第二电极中心为中心的正多边形。

进一步地，所述至少三个快恢复二极管芯片的具体个数为四个，且各快恢复二极管芯片中心之间的连线构成以第二电极中心为中心的长方形。

进一步地，至少三个快恢复二极管芯片相同的第二极与第二电极的连接距离相等。

进一步地，所述至少三个快恢复二极管芯片相同的第二极均通过导电引线与所述第二电极相连，其中，所述导电引线的材质、线径以及长度相同；所述底板为金属底板，所述第一电极由其构成，所述至少三个快恢复二极管芯片相同的第一极均通过焊接层与第一电极连接。

进一步地，所述第二电极通过引出电极引出至所述外壳的外部。

进一步地，所述相同极性的第一极为阴极，相同极性的第二极为阳极。

进一步地，所述相同极性的第一极为阳极，相同极性的第二极为阴极。

进一步地，所述腔体填充有硅凝胶。

本发明提供的一种快恢复二极管模块，包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少三个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少三个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，并且所述至少三个快恢复二极管芯片的任一个芯片的中心与其它各快恢复二极管的芯片中心的距离之和相等。与现有技术相比，提高了各芯片之间的回路电流的均流性，提高FRD模块的稳定性。

根据本发明的快恢复二极管模块，一方面能够避免快恢复二极管模块因内部芯片不均流导致的击穿损坏、失效问题，从而提高各芯片之间的回路电流的均流性，提高FRD模块的稳定性；另一方面能够提高快恢复二极管模块的过电流能力，且功率密度提高了100％。并且紧凑的设计减少了模块散热底板的面积，降低了模块的加工难度和生产成本。

附图说明

图1是本发明的第一实施例的快恢复二极管模块的结构剖面图；

图2是本发明的第一实施例的快恢复二极管模块内部芯片布置图；

图3是本发明的第一实施例的快恢复二极管模块的局部放大图；

图4是本发明的第二实施例的快恢复二极管模块内部芯片布置图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明实施例进一步说明：

第一实施例