[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

有源区和无源区，所述有源区包括多个有源区单元，所述多个有源区单元在所述半导体器件的长度方向上交错排列，以及所述多个有源区单元在所述半导体器件的宽度方向上交错排列；

所述半导体器件的正面包括位于有源区内的源极、栅极和漏极，所述有源区内的源极、栅极和漏极分布在所述有源区的有源区单元内；还包括位于无源区内的漏极互联金属和/或栅极互联金属；

所有所述有源区内的漏极通过位于无源区内的同一漏极互联金属连接在一起，所有所述有源区内的栅极通过位于无源区内的同一栅极互连金属连接在一起。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，任意两个相邻的有源区单元在所述半导体器件的长度方向上交叠或不交叠，以及任意两个相邻的有源区单元在所述半导体器件的宽度方向上交叠或不交叠。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

还包括位于无源区内的源极互联金属。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件的背面设置有接地电极；

所述半导体器件还包括：位于所述源极互联金属和所述接地电极间的贯穿所述半导体器件的第一通孔，和/或位于所述源极和所述接地电极间的贯穿所述半导体器件的第二通孔；

每个所述源极通过所述源极互联金属和所述第一通孔与所述接地电极电性连接；或者

所述源极通过所述第二通孔与所述接地电极电性连接；或者

所述源极通过空气桥与源极互联金属连接在一起，所述空气桥跨接在所述栅极互连金属上方，所述源极通过所述空气桥、所述源极互联金属和所述第一通孔与所述接地电极电性连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的材料为氮化镓、铝镓氮、铟镓氮、铝铟镓氮、砷化镓、碳化硅、金刚石、蓝宝石或硅中的一种或多种任意组合。

6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成有源区和无源区，所述有源区包括多个有源区单元，所述多个有源区单元在所述半导体器件上的长度方向上交错排列，以及所述多个有源区单元在所述半导体器件的宽度方向上交错排列；

在所述半导体器件的正面的有源区内形成源极、栅极和漏极，所述有源区内的源极、栅极和漏极分布在所述有源区的有源区单元内；

在所述半导体器件的正面的无源区内形成漏极互联金属和/或栅极互联金属；

所有所述有源区内的漏极通过位于无源区内的同一漏极互联金属连接在一起，所有所述有源区内的栅极通过位于无源区内的同一栅极互连金属连接在一起。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体器件的正面的无源区内形成源极互联金属。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，利用台面刻蚀工艺、离子注入工艺和/或氧化隔离工艺形成所述半导体器件的有源区和无源区。