[发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；

选择性蚀刻所述第二硬掩膜层、第一硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成鳍部，所述鳍部两侧形成有浅沟槽而上表面仍然覆盖所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；

在所述浅沟槽中填充介质层，所述介质层的上表面与所述第二硬掩膜上表面平坦一致；

去除所述第二硬掩膜层，并在所述介质层和暴露出的鳍部表面形成盖层；

采用回刻蚀工艺完全去除盖层并部分去除所述介质层，至所述鳍部上表面距离所述介质层上表面的预定高度。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用次常压化学汽相沉积工艺形成所述盖层。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在形成所述盖层之后，对所述盖层进行热退火处理。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述盖层与所述介质层的材质相同或不同。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅、氮氧化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅构成的堆叠结构，所述盖层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的材质为SiN，SiON，α-C，SiO₂，BN，TiN，金属硅化物中的至少一种。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层的厚度大于

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺为湿法刻蚀或远程等离子刻蚀。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为纯硅、绝缘体上硅、锗、锗硅、碳化硅、砷化镓或者绝缘体上锗。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽的侧壁为竖直结构，所述鳍部为上下一致的竖直结构；或者所述浅沟槽的侧壁具有倾斜度，所述回刻蚀工艺后，所述鳍部位于所述介质层上方的部分为垂直结构，而埋在所述介质层中的部分为倾斜结构。