[发明专利]多线切割导轮及其布线方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅切割硅块领域，尤其涉及一种多线切割导轮及其布线方法。

背景技术

在制造各种半导体、光伏器件时，将包含硅、蓝宝石、陶瓷等硬脆材料的半导体晶锭切割加工为要求厚度尺寸的晶片。由于晶片切割是制约后续成品的重要工序，因而对其加工要求也越来越高。目前，多线切割技术由于具有生产效率高、加工成本低、加工精度高等特点，被广泛应用于光伏产业的晶体切片生产中。

然而，现有的多线切割导轮上的线槽槽型一般呈“V”字型，具有上宽下尖的特点，且槽与槽之间具有一钝边，此种线槽由于其上宽下尖的特点而具有较好的固定线网的作用。但在使用该导轮进行切割时，由于钢线带动砂浆对硅块进行切割时，钢线的晃动性较大，当钢线晃动时容易跳线至线槽外的钝边上，由于钝边多为平面，从而使得钢线打滑，进而影响切割效果；此外，在切割进入至胶层时，由于钢线的晃动容易导致硅块粘胶面受力，从而出现硅片崩边、缺口或硅粉脱落等现象，极大地增加了硅片切割不良率的产生。

尽管现有已经有很多导轮在上述线槽为V型的情况下做了改进，以减少钢线晃动的产生，并提高硅片良率。然而，很大部分都是在线槽的槽型上做改进，不仅结构复杂，并且由于加工方法也相对复杂，从而大大地增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种结构简单、解决钢线跳线问题并且节省生产成本的多线切割导轮及其布线方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种多线切割导轮，用于切割硅块，所述多线切割导轮上开设有多个位于所述多线切割导轮中间位置的中间线槽、以及多个位于所述中间线槽两侧的周边线槽，并且所述周边线槽的槽深大于所述中间线槽的槽深。

其中，所述周边线槽的槽距与所述中间线槽的槽距相等，所述周边线槽的槽型角度与所述中间线槽的槽型角度相等，并且所述周边线槽的槽深满足以下关系式：

H1＝D/2tan(θ/2)-A

其中，H1为所述周边线槽的槽深，单位为um，D为所述中间线槽的槽距，单位为um，θ为所述中间线槽的槽型角度，A为所述周边线槽的槽深修正值。

其中，所述周边线槽的槽深修正值A的取值范围为0～30um。

其中，所述周边线槽的个数满足以下关系式：

Q＝[1000(W-L)/2D]×B

其中，Q为所述周边线槽的个数，W为所述多线切割导轮的有效长度，单位为mm，L为所述切割硅块的最大长度，单位为mm，B为所述周边线槽的个数修正值。

其中，所述周边线槽的个数修正值B的取值范围为0～1。

相应的，本发明还提供了一种多线切割导轮的布线方法，所述多线切割导轮的布线方法包括以下步骤：

提供一套预设长度的多线切割导轮；

在所述多线切割导轮上开设中间线槽及位于所述中间线槽两侧的周边线槽，并且所述周边线槽的槽深大于所述中间线槽的槽深；

提供钢线；

将所述钢线沿所述多线切割导轮的长度方向分别在所述中间线槽的一侧的所述周边线槽上预留第一预设个数的空槽入线，并在另一侧的所述周边线槽上预留第二预设个数的空槽出线。

其中，所述预设长度为510mm。

其中，在所述多线切割导轮上开设中间线槽及位于中间线槽两侧周边线槽，并且所述周边线槽的槽深大于所述中间线槽的槽深的步骤中，所述周边线槽的槽距与所述中间线槽的槽距相等，所述周边线槽的槽型角度与所述中间线槽的槽型角度相等，并且所述周边线槽的槽深满足以下关系式：

H1＝D/2tan(θ/2)-A

其中，H1为所述周边线槽的槽深，单位为um，D为所述中间线槽的槽距，单位为um，θ为所述中间线槽的槽型角度，A为所述周边线槽的槽深修正值。

其中，将所述钢线沿所述多线切割导轮的长度方向分别在所述中间线槽的一侧的所述周边线槽上预留第一预设个数的空槽入线，并在另一侧的所述周边线槽上预留第二预设个数的空槽出线的步骤中，所述周边线槽的个数满足以下关系式：

Q＝[1000(W-L)/2D]×B

其中，Q为所述周边线槽的个数，W为所述多线切割导轮的有效长度，单位为mm，L为所述硅块的最大长度，单位为mm，B为所述周边线槽的个数修正值。

其中，所述第一预设个数为4个，所述第二预设个数为8个。