[发明专利]金属连线制备方法在审
| 申请号： | 201410620626.2 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105633007A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 夏禹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制备 方法 | ||
1.一种金属连线制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底依次沉积下层金属层、中间金属层、 顶层金属层；
在所述顶层金属层上沉积缓冲金属层；
选择性刻蚀所述缓冲金属层、所述顶层金属层、所述中间金属层以及所述 下层金属层，形成金属连线结构。
2.如权利要求1所述的金属连线制备方法，其特征在于，采用物理沉积方 法沉积所述缓冲金属层。
3.如权利要求2所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述缓冲金属层 为钛金属层。
4.如权利要求3所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述钛金属层的 厚度为
5.如权利要求1所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述下层金属层 包括自下至上依次层叠的一下层钛金属层和一下层氮化钛金属层。
6.如权利要求5所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述下层钛金属 层的厚度为所述下层氮化钛金属层的厚度为
7.如权利要求1所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述中间金属层 为铝金属层或者铝铜合金金属层。
8.如权利要求7所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述中间金属层 的厚度为
9.如权利要求1所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述顶层金属层 包括自下至上依次层叠的一顶层钛金属层和一顶层氮化钛金属层。
10.如权利要求9所述的金属连线制备方法，其特征在于，所述顶层钛金属 层的厚度为所述顶层氮化钛金属层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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