[发明专利]反应气体输送装置及化学气相沉积或外延层生长反应器在审
申请号: | 201410620810.7 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN105624645A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 姜银鑫;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 气体 输送 装置 化学 沉积 外延 生长 反应器 | ||
1.一种反应气体输送装置,用于化学气相沉积或外延层生长反应器,其特征 在于,包括:
从上往下依次设置的一顶板、一隔离板和一气体输送板,所述顶板与 所述隔离板相互间隔而于二者之间形成第一气体扩散区域,所述隔离板和 所述气体输送板相互间隔而于二者之间形成第二气体扩散区域;
所述气体输送板为一体形成之板体,其包括一上表面,所述上表面上 沿某一水平方向上开设有相互平行排列的多个纵长形第一气体扩散槽和 多个纵长形第二气体扩散槽,并且每一所述第一气体扩散槽和每一所述第 二气体扩散槽相互间隔排列设置,所述每一第一气体扩散槽下方还开设连 接有一纵长形第一气体出气通道并且二者相连通,所述每一第二气体扩散 槽下方还开设连接有一纵长形第二气体出气通道并且二者相连通;所述每 一第一气体扩散槽和与之相邻的每一第二气体扩散槽之间向下延伸设置 有一纵长形的气体导流条;所述每一纵长形的气体导流条内部设置有一纵 长形的冷却管道,所述每一纵长形的气体导流条的下表面设有具一定弧度 的弧形或设为尖锥形;
所述每一第一气体扩散槽上还进一步连接设置有至少一根与所述第 一气体扩散区域相连通的第一气体输送管。
2.如权利要求1所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述每一纵长形第 一气体出气通道与所述每一纵长形第二气体出气通道相互平行排列,并且 相互间隔排列设置。
3.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形第 一气体出气通道为一纵长形的缝隙通道。
4.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形第 二气体出气通道为一纵长形的缝隙通道。
5.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形第 一气体出气通道包括若干个孔通道,所述若干个孔通道整体上构成一纵长 形的出气通道。
6.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形第 二气体出气通道包括若干个孔通道,所述若干个孔通道整体上构成一纵长 形的出气通道。
7.如权利要求1或2所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述每一纵长 形的气体导流条位于每一纵长形第一气体出气通道和每一纵长形第二气 体出气通道之间。
8.如权利要求7所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形的气体 导流条的下表面为向反应气体工艺处理区域凸出的弧形表面。
9.如权利要求7所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述纵长形的气体 导流条的下表面为向反应气体工艺处理区域凹陷的弧形表面。
10.如权利要求9所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述向工艺处理区 域凹陷的弧形表面与所述第一气体出气通道和第二气体出气通道的通道 侧面连接处为弧形。
11.如权利要求1所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述每一纵长形的 气体导流条两侧分别连接一纵长形的子气体导流条,所述气体导流条与所 述子气体导流条相互平行并相互间隔一距离设置,二者之间形成一子气体 通道,所述子气体通道与所述第一气体出气通道或第二气体出气通道在竖 直的截面方向上呈一锐角。
12.如权利要求1所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述第一气体出气 通道为宽度小于第一气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于 第一气体扩散槽槽宽度的若干孔通道;第二气体出气通道为宽度小于第二 气体扩散槽槽宽度的纵长形的缝隙通道或直径小于第二气体扩散槽槽宽 度的若干孔通道。
13.如权利要求1所述的反应气体输送装置,其特征在于:所述气体输送装置 至少包括边缘区域和中心区域,位于所述边缘区域内的第一和第二气体出 气通道的截面竖直长度与位于所述中心区域内的第一和第二气体出气通 道的截面竖直长度不相同或相同。
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