[发明专利]光感测组件及其制造方法

权利要求书

1.一种光感测组件结构，系形成于一基板上，包含:至少一个光敏晶体管设置于该基板上，该光敏晶体管具有一基极区域；及一电性传导区，其改良在于该电性传导区电性连结该基板与该光敏晶体管之基极区域。

2.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，其进一步包含设置一N型掺杂内埋层于该基板，其中该基板为P型传导体，该光敏晶体管设置于该N型掺杂内埋层上。

3.如权利要求2所述的光感测组件结构，其特征在于，该光敏晶体管包含：在上述N型掺杂内埋层邻近区域设置N型传导磊晶层；在该N型传导磊晶层邻近区域设置P型传导体基极；于该P型传导体基极部分邻近区域设置N型传导体的射极。

4.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，其进一步包含设置一N型传导区域于该基板，其中该基板为P型传导体，该至少一个光敏晶体管设置于该N型传导区域。

5.如权利要求4所述的光感测组件结构，其特征在于，其进一步包含一P型传导区域，设置于邻近该N型传导区域，其中该P型传导区域包含基极区域。

6.如权利要求5所述的光感测组件结构，其特征在于，其进一步包含一射极与集极于该P型传导区域，且该射极与该集极藉由一N型通道金氧半场效晶体管形成隔离。

7.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，该电性传导区可为金属材料或掺杂材料。

8.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，该至少一个光敏晶体管可排列成一维形式。

9.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，该至少一个光敏晶体管可排列成二维形式。

10.如权利要求1所述的光感测组件结构，其特征在于，该光感测组件结构系包含于一电子装置模块，该电子装置模块包含复数个以二维矩阵形式排列的光敏晶体管、一多任务器单元和一译码单元，其中至少一个光敏晶体管电性链接到该多任务器单元或译码单元。

11.一种光感测组件结构的制造方法，包含形成至少一个光敏晶体管于该光感测组件结构的步骤:

提供一P型传导半导体基板；

形成一N型传导内埋区域于该P型传导半导体基板；

形成一N型传导磊晶区域邻近于该N型传导内埋区域；

形成一P型传导基极邻近于该N型传导磊晶区域；

形成一射极区域覆盖部分该P型传导基极；以及

形成一电性传导区电性连结该P型传导基极与该P型传导半导体基板。

12.一种光感测组件结构的制造方法，包含形成至少一个光敏晶体管于该光感测组件结构上的步骤：

提供一P型传导基板；

形成一N型传导区域于该P型传导基板上；

形成一P型传导区域邻近于该N型传导区域；

掺杂部分该P型传导区域形成至少一个集极和至少一个射极区域；

形成一N型通道金氧半场效晶体管于该P型传导区域上；以及

形成一电性传导区电性链接该P型传导区域与该P型传导基板。

13.如权利要求11或12所述的光感测组件结构的制造方法，其特征在于，该电性传导区可为金属材料或掺杂材料。

14.如权利要求11或12所述的光感测组件结构的制造方法，其特征在于，该至少一个光敏晶体管可排列成一维形式。

15.如权利要求11或12所述的光感测组件结构的制造方法，其特征在于，该至少一个光敏晶体管可排列成二维形式。

16.一种光敏组件，包含：

一第一传导类型之基板；

一第二传导类型之内埋层，设置于该基板上；以及

至少一个光敏晶体管设置于该基板上，该光敏晶体管包含一第一传导类型之基极；

其中，一电性传导区电性连结该第一传导类型基板与该光敏晶体管之第一传导类型基极。

17.一种光敏组件，包含：

一第一传导类型之基板；

一第二传导类型之电性绝缘区域，设置于该第一传导类型基板上；以及

一个或复数个光敏晶体管，设置于该第一传导类型基板上，该光敏晶体管具有包覆于该绝缘区域内的第一传导类型基极；

其中，一电性传导区电性连结该第一传导类型基板与该光敏晶体管之第一传导类型基极。