[发明专利]半导体组件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：

金属底板，所述金属底板的上表面设有第一焊接面；

覆金属陶瓷基板，所述覆金属陶瓷基板设在所述金属底板上且所述覆金属陶瓷基板的下表面与所述第一焊接面焊接相连，所述覆金属陶瓷基板的上表面设有第二焊接面；

芯片，所述芯片设在所述覆金属陶瓷基板上且所述芯片的下表面与所述第二焊接面焊接相连，

其中，所述第一焊接面上设有突出于所述第一焊接面的凸点，所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第一焊接面上的凸点上；或者，所述第二焊接面上设有突出于所述第二焊接面的凸点，所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第二焊接面上的凸点上；或者，所述第一焊接面上设有突出于所述第一焊接面的凸点且所述第二焊接面上设有突出于所述第二焊接面的凸点，所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第一焊接面上的凸点上，所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料设在所述第二焊接面上的凸点上；

其中，所述凸点的熔点大于对应位置的焊料的焊接温度。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述金属底板的上表面形成为所述第一焊接面，所述覆金属陶瓷基板的上表面形成为所述第二焊接面，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有所述凸点。

3.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有四个所述凸点，所述第一焊接面和所述第二焊接面上的四个所述凸点分别排列成矩形。

4.根据权利要求3所述的半导体组件，其特征在于，所述焊料为焊片或锡膏，所述焊片或锡膏的厚度大于等于所述凸点在上下方向上的高度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体组件，其特征在于，所述凸点为楔形、球形或柱状的铜线、铝线、铝覆铜线、铜覆钯线、金线、银线或相应的合金线。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体组件，其特征在于，所述覆金属陶瓷基板的表面金属为铜层或铝层，所述铜层或铝层上还设有镀层，所述镀层为镀金层、镀银层、镀镍层中的至少一种。

7.一种半导体组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供金属底板、覆金属陶瓷基板和芯片，所述金属底板的上表面设有第一焊接面，所述覆金属陶瓷基板的上表面设有第二焊接面；

S2、在所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设置突出于所述第一焊接面和所述第二焊接面的凸点；

S3、在所述凸点上设置焊料，所述焊料将所述芯片焊接在所述第二焊接面的所述凸点上，并将所述覆金属陶瓷基板的下表面焊接在所述第一焊接面的所述凸点上。

8.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述凸点通过超声键合机超声焊接在所述第一焊接面和所述第二焊接面上。

9.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有四个所述凸点，所述第一焊接面和所述第二焊接面上的四个所述凸点分别排列成矩形。

10.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，所述焊料为焊片或锡膏，所述焊片或锡膏的厚度大于等于所述凸点在上下方向上的高度。