[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

a)提供具有一硅基板与一保护层的一晶圆结构，其中该保护层上的一焊垫由该硅基板的一镂空区露出；

b)于该硅基板环绕该镂空区的一侧壁上与该硅基板背对该保护层的一表面上形成一绝缘层；

c)于该绝缘层上与该焊垫上形成一布线层；

d)于该布线层上形成一阻隔层；

e)图案化该阻隔层而形成一第一开口，使位于该硅基板的该表面上的该布线层由该第一开口露出；

f)于露出该第一开口的该布线层上形成一第一导电层；以及

g)于该第一开口中设置一导电结构，使该导电结构电性接触该第一导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤e)还包含：

图案化该阻隔层而形成一第二开口，使位于该焊垫上与该侧壁上的该布线层由该第二开口露出。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤f)还包含：

于露出该第二开口的该布线层上形成一第二导电层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤f)以化学镀的方式形成该第一导电层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤b)以化学气相沉积的方式形成该绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶圆结构具有一透光元件与位于该透光元件与该保护层之间的一支撑层，该半导体结构的制造方法还包含：

切割该阻隔层、该硅基板、该保护层、该支撑层与该透光元件。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

于该硅基板中形成一尖角结构，其中该尖角结构的高度小于或等于该硅基板的该表面的高度。

8.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一硅基板，具有一感光元件与一镂空区；

一保护层，位于该硅基板上，且覆盖该感光元件；

一焊垫，位于该保护层上，且对准于该镂空区；

一绝缘层，位于该硅基板环绕该镂空区的一侧壁上与该硅基板背对该保护层的一表面上；

一布线层，位于该绝缘层上与该焊垫上；

一阻隔层，位于该布线层上，且具有一第一开口；

一第一导电层，位于该第一开口中的该布线层上；以及

一导电结构，位于该第一开口中，且电性接触该第一导电层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该阻隔层具有一第二开口，且位于该焊垫上与该侧壁上的该布线层由该第二开口露出。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一第二导电层，位于露出该第二开口的该布线层上。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，该第二导电层的垂直高度小于该硅基板的该表面的垂直高度。

12.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该镂空区的口径朝该焊垫的方向逐渐减小，使该硅基板的该侧壁为斜面。

13.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘层为氧化物或氮化物。

14.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一透光元件；以及

一支撑层，位于该透光元件与该保护层之间。

15.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该硅基板还包含：

一尖角结构，紧邻该镂空区，且该尖角结构的高度小于或等于该硅基板的该表面的高度，其中该尖角结构的顶端为尖形、圆形或平坦形。

16.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该导电结构为锡球或导电凸块。